發(fā)布時間：2017-07-19 18:33

  本文關(guān)鍵詞：基于廣義S變換的特快速暫態(tài)過電壓頻譜特性及其影響因素分析

  更多相關(guān)文章： 特快速暫態(tài)過電壓 廣義S變換 頻譜特性 影響因素 頻率成份 幅值 時間曲線

【摘要】：特快速暫態(tài)過電壓(very fast transient overvoltage,VFTO)波形具有非平穩(wěn)性,傅里葉變換無法描述其頻率分量隨時間變化的局部特征,因此提出了基于廣義S變換的VFTO頻譜分析。以氣體絕緣開關(guān)設(shè)備(gas insulated switchgear,GIS)試驗回路實測VFTO典型波形為樣本,用廣義S變換對樣本波形進行頻譜分析,給出了各頻率分量的幅值 時間曲線;通過對比研究了不同條件下實測波形的幅值 時間曲線,定性分析了擊穿序數(shù)、分閘/合閘及隔離開關(guān)速度、不同位置、GIS回路參數(shù)、GIS回路結(jié)構(gòu)等因素對VFTO頻譜的影響。結(jié)果表明:VFTO頻率成份豐富,頻率分量的頻率越高,其幅值衰減越快、持續(xù)時間越短;不同擊穿序數(shù)的VFTO頻率成份相同,各頻率分量幅值不同;分閘/合閘及開關(guān)速度僅對VFTO各頻率分量幅值有所影響,對頻率成份無明顯作用;不同位置VFTO的高頻成份有所不同。
【作者單位】： 武漢大學(xué)電氣工程學(xué)院;武漢國測恒通智能儀器有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 特快速暫態(tài)過電壓 廣義S變換 頻譜特性 影響因素 頻率成份 幅值 時間曲線
【分類號】：TM595
【正文快照】： 0引言氣體絕緣開關(guān)設(shè)備(gas insulated switchgear,GIS)中隔離開關(guān)操作時,由于觸頭運動速度相對較慢,導(dǎo)致隔離開關(guān)斷口間隙發(fā)生多次預(yù)、重擊穿,產(chǎn)生陡變的行波,在GIS波阻抗不連續(xù)處發(fā)生多次折反射和疊加,形成特快速暫態(tài)過電壓(very fasttransient overvoltage,VFTO)[1]。VFTO

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本文編號：564283