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GIS局部放電UHF檢測(cè)系統(tǒng)性能現(xiàn)場(chǎng)校核方法

發(fā)布時(shí)間:2017-07-17 15:02

  本文關(guān)鍵詞:GIS局部放電UHF檢測(cè)系統(tǒng)性能現(xiàn)場(chǎng)校核方法


  更多相關(guān)文章: 氣體封閉組合開關(guān) 局部放電 特高頻 現(xiàn)場(chǎng)校核 S參量


【摘要】:近年來,GIS局部放電檢UHF測(cè)技術(shù)得到了廣泛應(yīng)用,已成為GIS絕緣狀態(tài)檢測(cè)與評(píng)估的主要手段之一。然而,由于各設(shè)備制造廠家技術(shù)水平參差不齊,部分UHF檢測(cè)裝置靈敏度低、UHF傳感器配置方案不合理;加之現(xiàn)場(chǎng)惡劣的運(yùn)行環(huán)境,投運(yùn)后的部分UHF檢測(cè)裝置性能下降,最終導(dǎo)致實(shí)際的檢測(cè)效果不佳,嚴(yán)重阻礙了該技術(shù)的推廣及應(yīng)用價(jià)值。故有必要對(duì)出廠或投運(yùn)的UHF檢測(cè)裝置進(jìn)行校核。本文研究了典型缺陷放電的時(shí)頻特征及經(jīng)相同GIS結(jié)構(gòu)的衰減特性,脈沖源關(guān)鍵指標(biāo)對(duì)注入U(xiǎn)HF信號(hào)時(shí)頻特性的影響,外置注入方式(通過裸盆子和澆注孔)的可行性和有效性,以及不同外置傳感器對(duì)注入U(xiǎn)HF信號(hào)的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:相同放電量下不同缺陷的時(shí)頻特征不同,但經(jīng)相同GIS結(jié)構(gòu)后的衰減量基本一致;相同注入幅值下,脈沖源的上升沿時(shí)間和脈沖寬度不同,注入U(xiǎn)HF信號(hào)時(shí)頻特性不同,在一定脈沖寬度和上升沿時(shí)間內(nèi),經(jīng)相同GIS結(jié)構(gòu)的衰減量基本一致;通過外置傳感器子注入U(xiǎn)HF信號(hào)校核內(nèi)置傳感器的方式不可行,但校核外置傳感器可行;經(jīng)過相同結(jié)構(gòu),局放UHF信號(hào)衰減量大于注入信號(hào)衰減量。論文提出了基于S參量的局放UHF檢測(cè)系統(tǒng)校核方法。采用仿真和實(shí)驗(yàn)的方式,分析了該方法與注入脈沖校核方式之間的等效性,研究了該方法的可行性和有效性,進(jìn)而提出了滿足不同靈敏度要求(如5pC放電)時(shí)的評(píng)價(jià)體系。結(jié)果表明,基于S參量的局放UHF檢測(cè)系統(tǒng)校核方法可行且有效,對(duì)于GIS UHF檢測(cè)系統(tǒng)出廠和現(xiàn)場(chǎng)校核具有重要的工程意義。
【關(guān)鍵詞】:氣體封閉組合開關(guān) 局部放電 特高頻 現(xiàn)場(chǎng)校核 S參量
【學(xué)位授予單位】:華北電力大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:TM595
【目錄】:
  • 摘要5-6
  • Abstract6-9
  • 第1章 緒論9-14
  • 1.1 選題背景及意義9-10
  • 1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀10-12
  • 1.2.1 局放視在放電量與UHF信號(hào)關(guān)系10-11
  • 1.2.2 GIS局部放電UHF檢測(cè)系統(tǒng)現(xiàn)場(chǎng)校核方法11-12
  • 1.3 目前研究存在的問題12-13
  • 1.4 本文的主要工作13-14
  • 第2章 GIS局放UHF檢測(cè)系統(tǒng)校核基礎(chǔ)理論14-24
  • 2.1 GIS中UHF電磁波傳播特性14-17
  • 2.1.1 同軸波導(dǎo)15
  • 2.1.2 圓波導(dǎo)15-16
  • 2.1.3 矩形波導(dǎo)16-17
  • 2.2 UHF傳感器17-18
  • 2.3 UHF檢測(cè)系統(tǒng)18-19
  • 2.4 S參數(shù)矩陣19-21
  • 2.5 局部放電UHF檢測(cè)系統(tǒng)校核方法21-23
  • 2.6 本章小結(jié)23-24
  • 第3章 基于等效注入場(chǎng)強(qiáng)校核方法的關(guān)鍵技術(shù)研究24-55
  • 3.1 局放信號(hào)與注入脈沖的等效性24-28
  • 3.2 現(xiàn)場(chǎng)校核用放電模型28-35
  • 3.3 現(xiàn)場(chǎng)校核用脈沖源35-45
  • 3.3.1 脈沖寬度對(duì)校核的影響35-39
  • 3.3.2 脈沖上升沿時(shí)間對(duì)校核的影響39-45
  • 3.4 外置傳感器注入方式的可行性45-53
  • 3.4.1 外置注入方式校核內(nèi)置傳感器45-52
  • 3.4.2 外置注入方式校核外置傳感器52-53
  • 3.5 本章小結(jié)53-55
  • 第4章 基于S參量的局放UHF檢測(cè)系統(tǒng)校核方法55-70
  • 4.1 校核原理55-62
  • 4.2 等效5pC放電量的評(píng)價(jià)方法62-69
  • 4.3 本章小結(jié)69-70
  • 第5章 結(jié)論與展望70-72
  • 5.1 論文的主要結(jié)論70-71
  • 5.2 進(jìn)一步研究工作的展望71-72
  • 參考文獻(xiàn)72-76
  • 致謝76

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 谷秀芹;高理平;;二維麥克斯韋方程分裂的高階時(shí)域有限差分方法[J];科學(xué)技術(shù)與工程;2010年07期

,

本文編號(hào):554115

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