隨著智能電網(wǎng)中一二次設(shè)備融合技術(shù)發(fā)展,一次設(shè)備和二次設(shè)備之間的距離大幅度減小,導致二次設(shè)備容易受到一次設(shè)備動作干擾而發(fā)生故障。文中針對真空斷路器關(guān)合電容器組過程中產(chǎn)生的電磁干擾進行研究分析,采用高頻涌流試驗回路對其進行模擬,用電磁場探頭以及測量設(shè)備同步采集電流波形和電磁干擾信號。利用小波變換分析了暫態(tài)電磁信號的時頻特征,結(jié)果表明:電場干擾幅值最大為12.56 k V/m,主要分布在156.25～312.5 MHz和39.062 5 MHz以下兩個頻率范圍;磁場干擾幅值最大為26.23 A/m,主要分布在312.5～625 MHz和9.8 MHz以下兩個頻率范圍。利用矩量法對電磁脈沖的主要分量進行了分析,與試驗結(jié)果進行比對,所關(guān)注頻率297.5 MHz下電場幅值誤差為20.83%,磁場幅值誤差為10.15%。

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 電磁輻射干擾測試
    1.1 合成回路原理介紹
    1.2 電磁輻射干擾測試
2 測試結(jié)果分析
3 干擾產(chǎn)生機理及仿真驗證
    3.1 高頻電磁干擾產(chǎn)生機理
    3.2 仿真分析
4 結(jié)論



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