氫氧化鎳/還原氧化石墨烯復(fù)合物的超級(jí)電容性能
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【部分圖文】:
圖3GO和NG8的FT-IR譜Fig3FT-IRspectraofGOandNG8分析
2的插入。對(duì)于NG8,除了位于3411和1635cm-1處的水的吸收峰,1000~1050cm-1間較弱的吸收峰對(duì)應(yīng)于羧基、羰基、環(huán)氧基等基團(tuán),這說(shuō)明復(fù)合材料中的rGO只帶有少量含氧官能團(tuán)。在曲線(b)中還發(fā)現(xiàn)位于516cm-1的羥基晶格振動(dòng)吸收峰;3642cm-1處附近的尖銳的....
圖4Ni(OH)2與Ni(OH)2/rGO復(fù)合材料的TG曲線()()/
的分解[17]。在300~450℃為第3次失重階段,這是由Ni(OH)2分解成為NiO和rGO完全氧化分解所造成的;450℃后,所有熱重曲線都基本趨于穩(wěn)定,說(shuō)明Ni(OH)2與rGO已經(jīng)完全分解。根據(jù)熱重曲線,可計(jì)算出Ni(OH)2與rGO的實(shí)際質(zhì)量比,將其與配方中的理論值進(jìn)行對(duì)....
圖6Ni(OH)2/rGO復(fù)合材料及Ni(OH)2在不同電壓掃描速率下的比電容()/
漸變大,NG8的比電容最大。繼續(xù)增加Ni(OH)2的含量,比電容開(kāi)始減校而純的Ni(OH)2的比電容甚至小于NG10。圖5(b)為NG8在不同掃描速率下的循環(huán)伏安曲線,隨著電壓掃描速率增大,法拉第反應(yīng)的速度逐漸跟不上電子遷移的速度,曲線逐漸扭曲,氧化峰與還原峰分別向兩邊移動(dòng),并導(dǎo)....
圖8Ni(OH)2/rGO復(fù)合材料及Ni(OH)2在不同電流密度下的比電容()/
(OH)2/rGO復(fù)合材料及Ni(OH)2在1A/g電流密度下的充放電曲線,NG8在不同電流密度下的充放電曲線Fig7Galvanostaticcharge-dischargecurvesofNi(OH)2/rGOcompositesandNi(OH)2atthecurrentd....
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