采用共沉淀法制備了氫氧化鎳/還原氧化石墨烯復(fù)合材料,并以此為電極研究了其超級電容性能。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),六方氫氧化鎳納米片被成功插入到還原氧化石墨烯的層間,這有效抑制了還原氧化石墨烯和氫氧化鎳的團(tuán)聚,提高了電極的穩(wěn)定性。當(dāng)氫氧化鎳和還原氧化石墨烯的質(zhì)量比為5.5∶1時,顯示了最佳的電化學(xué)性能:在-0.1⁰.37V的電位窗口,1A/g的電流密度下,比電容高達(dá)1 036F/g;4A/g的電流密度下快速循環(huán)3 000次后,仍然保持70%的比電容。

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圖３ＧＯ和ＮＧ８的ＦＴ－ＩＲ譜Ｆｉｇ３ＦＴ－ＩＲｓｐｅｃｔｒａｏｆＧＯａｎｄＮＧ８分析

２的插入。對于ＮＧ８，除了位于３４１１和１６３５ｃｍ－１處的水的吸收峰，１０００～１０５０ｃｍ－１間較弱的吸收峰對應(yīng)于羧基、羰基、環(huán)氧基等基團(tuán)，這說明復(fù)合材料中的ｒＧＯ只帶有少量含氧官能團(tuán)。在曲線（ｂ）中還發(fā)現(xiàn)位于５１６ｃｍ－１的羥基晶格振動吸收峰；３６４２ｃｍ－１處附近的尖銳的....

圖４Ｎｉ（ＯＨ）２與Ｎｉ（ＯＨ）２／ｒＧＯ復(fù)合材料的ＴＧ曲線（）（）／

的分解［１７］。在３００～４５０℃為第３次失重階段，這是由Ｎｉ（ＯＨ）２分解成為ＮｉＯ和ｒＧＯ完全氧化分解所造成的；４５０℃后，所有熱重曲線都基本趨于穩(wěn)定，說明Ｎｉ（ＯＨ）２與ｒＧＯ已經(jīng)完全分解。根據(jù)熱重曲線，可計(jì)算出Ｎｉ（ＯＨ）２與ｒＧＯ的實(shí)際質(zhì)量比，將其與配方中的理論值進(jìn)行對....

圖６Ｎｉ（ＯＨ）２／ｒＧＯ復(fù)合材料及Ｎｉ（ＯＨ）２在不同電壓掃描速率下的比電容（）／

漸變大，ＮＧ８的比電容最大。繼續(xù)增加Ｎｉ（ＯＨ）２的含量，比電容開始減校而純的Ｎｉ（ＯＨ）２的比電容甚至小于ＮＧ１０。圖５（ｂ）為ＮＧ８在不同掃描速率下的循環(huán)伏安曲線，隨著電壓掃描速率增大，法拉第反應(yīng)的速度逐漸跟不上電子遷移的速度，曲線逐漸扭曲，氧化峰與還原峰分別向兩邊移動，并導(dǎo)....

圖８Ｎｉ（ＯＨ）２／ｒＧＯ復(fù)合材料及Ｎｉ（ＯＨ）２在不同電流密度下的比電容（）／

（ＯＨ）２／ｒＧＯ復(fù)合材料及Ｎｉ（ＯＨ）２在１Ａ／ｇ電流密度下的充放電曲線，ＮＧ８在不同電流密度下的充放電曲線Ｆｉｇ７Ｇａｌｖａｎｏｓｔａｔｉｃｃｈａｒｇｅ－ｄｉｓｃｈａｒｇｅｃｕｒｖｅｓｏｆＮｉ（ＯＨ）２／ｒＧＯｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓａｎｄＮｉ（ＯＨ）２ａｔｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｄ....

本文編號：3902558