變壓器式可控電抗器結(jié)構(gòu)優(yōu)化與損耗計算
發(fā)布時間:2024-01-16 17:40
隨著用電負荷的快速增長以及大容量輸電需求的增加,超高壓、長距離輸電成為目前輸電技術(shù)的重要發(fā)展方向。CRT(Controllable Reactor of Transformer Type,變壓器式可控電抗器)作為一種新型可控電抗器,具有電流諧波小、響應(yīng)速度快、容量連續(xù)可調(diào)的優(yōu)點,近年來得到廣泛的關(guān)注與研究。本文將磁集成技術(shù)引入CRT的結(jié)構(gòu)設(shè)計,提出一種結(jié)構(gòu)簡單、易于拓展、裝配靈活的CRT本體結(jié)構(gòu),具體內(nèi)容如下:(1)分析CRT工作原理,介紹磁集成技術(shù)實現(xiàn)CRT高阻抗與解耦集成的基本原理。(2)基于CRT的單支路調(diào)節(jié)模式,以同心式CRT為研究對象,采用磁路計算法推導(dǎo)了不同負載下n繞組CRT的漏磁場計算通式。研究得出:隨著負載投入,鐵芯中的磁通逐漸向空氣中轉(zhuǎn)移;磁路法與有限元法在CRT漏磁場計算方面具有良好的一致性;磁路計算法在工程設(shè)計中具有簡單、快速和容易的特點。(3)對現(xiàn)有磁集成CRT的結(jié)構(gòu)特點進行分析,總結(jié)多控制繞組基本單元磁集成CRT的結(jié)構(gòu)設(shè)計原則,并據(jù)此提出CRT的新型磁集成結(jié)構(gòu),即雙控制繞組基本單元磁集成CRT。將雙控制繞組基本單元磁集成CRT與現(xiàn)有磁集成CRT在多方面進行對比...
【文章頁數(shù)】:65 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
1 緒論
1.1 研究背景及意義
1.2 CRT研究現(xiàn)狀
1.2.1 CRT國外研究現(xiàn)狀
1.2.2 CRT國內(nèi)研究現(xiàn)狀
1.3 主要研究內(nèi)容
2 CRT及磁集成技術(shù)基本原理分析
2.1 CRT基本原理
2.2 磁集成技術(shù)基本原理
2.2.1 磁集成技術(shù)應(yīng)用于CRT的高阻抗原理
2.2.2 磁集成技術(shù)應(yīng)用于CRT的解耦原理
3 基于磁路的CRT漏磁場計算
3.1 CRT的磁通密度計算
3.2 CRT的漏磁通計算
3.3 算例分析
3.3.1 磁路解析計算
3.3.2 有限元計算
3.3.3 計算結(jié)果對比
3.4 小結(jié)
4 磁集成結(jié)構(gòu)CRT的對比分析及設(shè)計
4.1 磁集成CRT結(jié)構(gòu)分析
4.1.1 陣列式磁集成CRT
4.1.2 多導(dǎo)磁材料磁集成CRT
4.1.3 分裂式磁集成CRT
4.1.4 多基本獨立單元磁集成CRT
4.2 多控制繞組基本單元磁集成CRT結(jié)構(gòu)設(shè)計原則
4.3 雙控制繞組基本單元磁集成CRT
4.4 磁集成CRT對比分析
4.5 小結(jié)
5 雙控制繞組基本單元磁集成CRT的結(jié)構(gòu)分析
5.1 雙控制繞組基本單元磁集成CRT結(jié)構(gòu)設(shè)計
5.2 等效磁路分析
5.3 等效電路分析
5.4 算例驗證
5.5 小結(jié)
6 雙控制繞組基本單元磁集成CRT結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化
6.1 CRT結(jié)構(gòu)參數(shù)與損耗、成本的關(guān)系
6.1.1 成本計算
6.1.2 損耗計算
6.1.3 CRT成本與損耗分析
6.2 CRT結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化模型
6.2.1 優(yōu)化變量和約束條件
6.2.2 目標函數(shù)
6.2.3 結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化方法
6.3 雙控制繞組基本單元結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化結(jié)果對比分析
6.4 小結(jié)
7 基于ANSYS的雙控制繞組基本單元磁集成CRT損耗計算
7.1 損耗計算原理
7.1.1 鐵芯損耗計算原理
7.1.2 繞組損耗計算原理
7.2 雙控制繞組基本單元磁集成CRT的損耗計算
7.2.1 鐵芯損耗計算
7.2.2 繞組損耗計算
7.3 雙控制繞組基本單元磁集成CRT損耗分析
7.4 小結(jié)
結(jié)論
致謝
參考文獻
攻讀學(xué)位期間的研究成果
本文編號:3878865
【文章頁數(shù)】:65 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
1 緒論
1.1 研究背景及意義
1.2 CRT研究現(xiàn)狀
1.2.1 CRT國外研究現(xiàn)狀
1.2.2 CRT國內(nèi)研究現(xiàn)狀
1.3 主要研究內(nèi)容
2 CRT及磁集成技術(shù)基本原理分析
2.1 CRT基本原理
2.2 磁集成技術(shù)基本原理
2.2.1 磁集成技術(shù)應(yīng)用于CRT的高阻抗原理
2.2.2 磁集成技術(shù)應(yīng)用于CRT的解耦原理
3 基于磁路的CRT漏磁場計算
3.1 CRT的磁通密度計算
3.2 CRT的漏磁通計算
3.3 算例分析
3.3.1 磁路解析計算
3.3.2 有限元計算
3.3.3 計算結(jié)果對比
3.4 小結(jié)
4 磁集成結(jié)構(gòu)CRT的對比分析及設(shè)計
4.1 磁集成CRT結(jié)構(gòu)分析
4.1.1 陣列式磁集成CRT
4.1.2 多導(dǎo)磁材料磁集成CRT
4.1.3 分裂式磁集成CRT
4.1.4 多基本獨立單元磁集成CRT
4.2 多控制繞組基本單元磁集成CRT結(jié)構(gòu)設(shè)計原則
4.3 雙控制繞組基本單元磁集成CRT
4.4 磁集成CRT對比分析
4.5 小結(jié)
5 雙控制繞組基本單元磁集成CRT的結(jié)構(gòu)分析
5.1 雙控制繞組基本單元磁集成CRT結(jié)構(gòu)設(shè)計
5.2 等效磁路分析
5.3 等效電路分析
5.4 算例驗證
5.5 小結(jié)
6 雙控制繞組基本單元磁集成CRT結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化
6.1 CRT結(jié)構(gòu)參數(shù)與損耗、成本的關(guān)系
6.1.1 成本計算
6.1.2 損耗計算
6.1.3 CRT成本與損耗分析
6.2 CRT結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化模型
6.2.1 優(yōu)化變量和約束條件
6.2.2 目標函數(shù)
6.2.3 結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化方法
6.3 雙控制繞組基本單元結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化結(jié)果對比分析
6.4 小結(jié)
7 基于ANSYS的雙控制繞組基本單元磁集成CRT損耗計算
7.1 損耗計算原理
7.1.1 鐵芯損耗計算原理
7.1.2 繞組損耗計算原理
7.2 雙控制繞組基本單元磁集成CRT的損耗計算
7.2.1 鐵芯損耗計算
7.2.2 繞組損耗計算
7.3 雙控制繞組基本單元磁集成CRT損耗分析
7.4 小結(jié)
結(jié)論
致謝
參考文獻
攻讀學(xué)位期間的研究成果
本文編號:3878865
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