有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦材料作為直接帶隙半導(dǎo)體,其具有光吸收系數(shù)高,電荷擴(kuò)散距離長,載流子遷移率高等優(yōu)異性能。其中CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦材料的帶隙在1.5eV左右,可以吸收近紅外到紫外范圍的太陽光,采用CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦材料作為光吸收層可以獲得性能良好的光電器件。我們基于CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦材料制備了太陽能電池,并對其制備工藝進(jìn)行了優(yōu)化;通過PCBM與CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦材料共同退火的方法制備了含有介孔PCBM骨架的鈣鈦礦太陽能電池;采用加熱飽和先驅(qū)物溶液的方法制備了 CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦單晶,對其性能進(jìn)行了表征。具體的研究內(nèi)容集中在以下幾個方面:(1)采用PEDOT:PSS或PTAA作為空穴傳輸層,采用不同濃度的CH3_N

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 前言
    1.2 有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦的組成、發(fā)展歷程與性質(zhì)
        1.2.1 有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦的組成
        1.2.2 有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦的發(fā)展歷程
        1.2.3 有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦的性質(zhì)
    1.3 有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦薄膜的制備方法
        1.3.1 一步法
        1.3.2 兩步法
        1.3.3 氣相輔助沉積法
        1.3.4 室溫生長法
    1.4 鈣鈦礦太陽能電池的光電遲滯
    1.5 本文的主要研究內(nèi)容
第二章 CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦太陽能電池晶粒尺寸與光電性能調(diào)控
    2.1 引言
    2.2 CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦薄膜的制備與表征
        2.2.1 CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦薄膜的制備
        2.2.2 CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦薄膜的表征
        2.2.3 CH₃NH₃PbI₃太陽能電池的制備與表征
    2.3 CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦薄膜及電池的進(jìn)一步優(yōu)化
        2.3.1 DMF溶劑退火中DMF量的優(yōu)化
        2.3.2 PCBM作為電子傳輸層對CH₃NH₃PbI₃電池性能的優(yōu)化
        2.3.3 聚苯乙烯與SiO₂取代PCBM作為電子隧穿層
    2.4 本章小結(jié)
第三章 含有介孔PCBM骨架的CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦太陽能電池的制備與表征
    3.1 引言
    3.2 含有介孔PCBM骨架的鈣鈦礦薄膜的制備與表征
        3.2.1 含有介孔PCBM骨架的CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦薄膜的制備
        3.2.2 含有介孔PCBM骨架的CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦薄膜的形貌表征
        3.2.3 PCBM共退火CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦薄膜微球組成分析
        3.2.4 含有介孔PCBM骨架的鈣鈦礦薄膜的XRD與PL分析
    3.3 含有介孔PCBM骨架的CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦太陽能電池的制備、表征與優(yōu)化
        3.3.1 含有介孔PCBM骨架的鈣鈦礦太陽能電池的制備與表征
        3.3.2 含有介孔PCBM骨架的鈣鈦礦太陽能電池的進(jìn)一步優(yōu)化
    3.4 本章小結(jié)
第四章 CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦單晶材料的制備與性能表征
    4.1 引言
    4.2 CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦單晶的制備
        4.2.1 采用反溶劑氣相輔助結(jié)晶法制備鈣鈦礦單晶
        4.2.2 采用加熱飽和溶液法制備鈣鈦礦單晶
    4.3 CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦單晶的表征
        4.3.1 CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦單晶的XRD表征
        4.3.2 CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦單晶的SEM表征
        4.3.3 CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦單晶的PL譜表征
        4.3.4 CH₃NH₃PbI₃鈣鈦礦單晶的光吸收譜表征
    4.4 本章小結(jié)
第五章 全文總結(jié)
參考文獻(xiàn)
致謝
在讀期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文與取得的其他研究成果



本文編號：3865360