1MeV電子輻照GaAs/Ge太陽(yáng)電池變溫光致發(fā)光研究
發(fā)布時(shí)間:2023-11-11 12:11
對(duì)1 MeV電子輻照GaAs/Ge太陽(yáng)電池在30290K溫度范圍進(jìn)行了變溫光致發(fā)光光譜測(cè)量,分析了輻照電池樣品的發(fā)光峰位、發(fā)光強(qiáng)度隨溫度的變化.并用Arrhenius方程對(duì)發(fā)光強(qiáng)度隨溫度的變化進(jìn)行擬合,得出了輻照太陽(yáng)電池的非輻射復(fù)合中心分別為H2(EV+0.41eV)和H3(EV+0.71eV).
【文章頁(yè)數(shù)】:3 頁(yè)
【文章目錄】:
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論
本文編號(hào):3862570
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