采用脈沖激光沉積和硒化后熱處理的方法在石英襯底上制備Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)薄膜,研究脈沖激光沉積(PLD)技術(shù)在制備CIGS薄膜太陽(yáng)能電池材料上的應(yīng)用,分析了不同預(yù)制層沉積順序及厚度對(duì)CIGS薄膜組織結(jié)構(gòu)、表面形貌、成分以及光學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:利用PLD技術(shù)及后硒化處理工藝,制得的CIGS太陽(yáng)能電池吸收層具有純相和高結(jié)晶度等特性;CuGa/In金屬預(yù)制層的疊層順序和疊層數(shù)、硒化退火溫度對(duì)薄膜的結(jié)晶質(zhì)量、晶粒尺寸、成分都具有重要影響,其中疊層順序影響最為明顯;樣品均表現(xiàn)出對(duì)可見光區(qū)具有透射率低和吸收系數(shù)高的光學(xué)特性。本研究為制備性能優(yōu)良的CIGS太陽(yáng)能電池吸收層,提供了一個(gè)新穎的工藝手段。

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【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
    2.1 CIGS薄膜XRD分析
    2.2 CIGS薄膜Raman分析
    2.3 CIGS薄膜SEM分析
    2.4 CIGS薄膜EDS分析
    2.5 CIGS薄膜光學(xué)性質(zhì)分析
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3825850