�。颊窘�,中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所研究員高鵬課題組以典型的n-i-p型PSCs為研究對象,報道了一個全面的雙鈍化（DP）策略,有效地鈍化鈣鈦礦表面和GBs缺陷,從而提高器件的性能和穩(wěn)定性。通過在薄膜形成的兩個不同階段引入功能性氟化分子,探索了一種減少多晶鈣鈦礦薄膜缺陷的方法�；贒P策略的PSCs通過有效地抑制鈣鈦礦表面和GBs缺陷的形成,同時提高器件性能和穩(wěn)定性。新的DP策略通過缺陷鈍化延長了載流子壽命,抑制了非輻射復(fù)合損失,從而將VOC從1.10V提高到1.18V,對應(yīng)的VOC虧損為0.39V。 

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