碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近些年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。利用SiC MOSFET來(lái)作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件,可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗,提高系統(tǒng)效率,提高開(kāi)關(guān)頻率,降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩波動(dòng)。本文研究了一種基于SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)的永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng),旨在驗(yàn)證碳化硅功率器件用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì),尋找出適合于碳化硅功率器件的電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合。首先,研究了SiC MOSFET的工作特性和參數(shù)特性,在現(xiàn)有的Spice建模策略的基礎(chǔ)上,提出了一種器件物理性質(zhì)和等效電路結(jié)構(gòu)相結(jié)合的SiC MOSFET的Spice建模方法,搭建了碳化硅功率模塊BSM300D12P2E001的電路模型,并通過(guò)將軟件仿真結(jié)果與器件數(shù)據(jù)手冊(cè)給出的曲線進(jìn)行對(duì)比,驗(yàn)證了該模型能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)精確地反映出器件的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。其次,分析了電機(jī)逆變器損耗的構(gòu)成及影響各類(lèi)損耗的因素,并推導(dǎo)了功率器件通態(tài)損耗和開(kāi)關(guān)損耗以及續(xù)流二極管損耗的估算方法。通過(guò)單變量仿真得到了影響通態(tài)損耗和開(kāi)關(guān)損耗的因素,并對(duì)比了SiC MOSFET和Si IGBT在相同工況下的器件損耗,驗(yàn)證了采用碳化硅器件可以降低... 

【文章頁(yè)數(shù)】：74 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

一種適用于中高功率場(chǎng)合的SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)電路

一種非線性密勒電容模型

Si和SiC驅(qū)動(dòng)器的效率和溫升對(duì)比

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：3710415