隨著狀態(tài)檢修、智能電網(wǎng)技術(shù)的不斷發(fā)展,氣體絕緣金屬封閉開關(guān)電器（以下簡稱GIS）內(nèi)置式特高頻傳感器的安裝越來越普遍。但是內(nèi)置傳感器安裝到GIS上以后,無有效的靈敏度及安全性檢驗方法。各GIS廠家對傳感器布局隨意,運維單位難以驗證傳感器監(jiān)測范圍是否覆蓋整套GIS。且投運后,經(jīng)常見到內(nèi)置傳感器自身在放電以及漏氣等許多問題,在這種情況下在線監(jiān)測系統(tǒng)更是頻繁誤報、漏報,無法滿足現(xiàn)場使用要求。本文在實驗室采用GTEM小室檢驗傳感器方法的基礎上,提出現(xiàn)場通過向GIS內(nèi)注入陡脈沖激發(fā)特高頻電磁波,從而對安裝后的內(nèi)置傳感器進行靈敏度檢驗的方法。在真型GIS缺陷仿真平臺進行了局部放電與注入陡脈沖電壓幅值的等效驗證,明確了各種情況下注入陡脈沖的電壓幅值,編制了檢測流程;通過研究內(nèi)置特高頻傳感器結(jié)構(gòu)原理,分析了產(chǎn)生過電壓的機理,并提出了安全性檢驗方法及過電壓抑制措施,為運維單位現(xiàn)場開展內(nèi)置式特高頻傳感器檢驗提供技術(shù)支撐;通過開展GIS特高頻電磁波傳播特性仿真,研究了電磁波在GIS內(nèi)各種不連續(xù)部位的衰減大小,綜合考核技術(shù)原則和經(jīng)濟原則,制定了典型GIS間隔傳感器布局方案,為GIS制造廠設計傳感器布局提供技術(shù)支... 

【文章來源】：山東大學山東省211工程院校985工程院校教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：82 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１?ＧＴＥＭ測量平臺組成示意圖??

ＧＩＳ內(nèi)部是否有局放，也可以診斷放電遠的位置以及局部放電的類型［３Ｕ３３］。一般來??說，特高頻傳感器分為兩種，其中內(nèi)置傳感器預先安裝在ＧＩＳ內(nèi)部，外置傳感器安??裝在絕緣子上［３４＿３６］，如圖２－１所示。??ＵＨＦ外置彳專感器?ＵＨＦ內(nèi)置傳感器??＜／］??ｙ／／／／／／／／／／／／／／／／／／／／／／／／／＾￣￣＼／／／／／／／／ｙｙ＼ＪＬ，?Ｖ／／／／／／／Ａ＾??導體?＾?！??Ｉ??＾＾局部放電源??Ｙ／／／／／／＾＾?乂＂＂＂／＂＂＂Ａ?＼／／》＂＂／／／／／／／／＂７７７７：????絕緣子??ＵＨＦ內(nèi)置傳感器??圖２－１?ＵＨＦ檢測法基本原理??在電磁波信號經(jīng)過ＧＩＳ由ＰＤ源傳播到傳感器的過程中，由于ＧＩＳ結(jié)構(gòu)的影響，??信號的波形與幅值等參數(shù)都會發(fā)生變化，而局部放電源信號是根據(jù)檢測到的信號的??波形與幅值進行評估的，從而增加了這種評估的復雜性［３７＃］。因此，研究在ＧＩＳ中??８??

由以上分析可知，ＧＩＳ中局部放電所產(chǎn)生的電磁波，其傳播路徑主要和局放的??徑向位置有關(guān)。因此，根據(jù)國內(nèi)常見的２２０ｋＶ三相分箱母線ＧＩＳ尺寸，利用有限??積分（ＦＩＴ）軟件ＣＳＴ，建立如圖２－３所示的仿真模型進行局部放電電磁波傳播路??徑的特性研宄。ＣＳＴ可快速、精確仿真電磁場高頻問題，適合于大尺寸物體上的高??頻電磁場問題的求解，非常適合用于本章的仿真研宄。??ＧＩＳ內(nèi)部導體外徑是４．５ｃｍ，罐體內(nèi)徑是１９ｃｍ，罐體和內(nèi)部的材料都是金屬錯。??罐體長為２ｍ，兩端設為吸收邊界。在罐體內(nèi)部設置兩個局放點源ＰＤ１和ＰＤ２，位置??是在距左側(cè)端口?０．５ｍ，放置在在的靠近導體和靠近外殼處，放電通道沿ＧＩＳ腔體??徑向分布，長１０ｍｍ。在離ＰＤ源ｌｍ的０°、９０°、１８０°處，分別放置探針１、２、３。??１０??Ｉ??

【參考文獻】：
期刊論文
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