發(fā)布時間：2022-01-02 05:50

　　與傳統(tǒng)硅基器件相比,氮化鎵GaN（gallium nitride）功率器件具有更快的開關(guān)速度,更小的開關(guān)損耗并且無反向恢復(fù)損耗,這使得氮化鎵器件在高頻和高功率密度應(yīng)用場合具有突出優(yōu)勢。高頻工況下高精度測試方法是目前研究的熱點,其中雙脈沖測試DPT（double pulse test）電路是器件動態(tài)性能測量的常用方法。然而,該方法必須采用漏極電流探頭進行采樣,而同軸分流器電流探頭極大地增加了回路寄生電感,這與氮化鎵實際工況差距非常大,將影響開關(guān)特性和損耗測試的準(zhǔn)確性。提出了一種適用于橋式氮化鎵電路的新穎測試方法,該方法無需采用無感電阻即可測量氮化鎵器件的開關(guān)損耗。搭建了基于氮化鎵的降壓變換器進行實驗,驗證了該方法的有效性。 

【文章來源】：電源學(xué)報. 2020,18(04)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

仿真與實驗對比

基于氮化鎵橋式電路開關(guān)損耗測試實驗波形

基于氮化鎵的橋式損耗測試電路僅需在濾波環(huán)節(jié)增加無感電阻，如圖1所示。該電路以最簡單的buck電路為基礎(chǔ)，將同軸分流器Rshunt串聯(lián)在輸出濾波電感L之前。由于GaN器件漏極電流的di/dt非常大，即使探針插入的寄生電感很小，也會影響測量結(jié)果。該方法避免了在半橋氮化鎵回路中增加同軸分流器等采樣元環(huán)節(jié)，此外，無感電阻的增加僅會增加電路損耗而不會影響電路實際工況。因此，該測量方式可保證氮化鎵功率器件工作狀態(tài)與實際工況完全一致，通過間接測量方式可以有效獲得氮化鎵功率器件的開關(guān)損耗。2 基于氮化鎵橋式電路的開關(guān)損耗測量方法

【參考文獻】：
期刊論文
[1]基于氮化鎵器件和矩陣變壓器的高頻LLC直流變壓器[J]. 任仁,劉碩,張方華.  中國電機工程學(xué)報. 2015(13)

碩士論文
[1]Cascode GaN晶體管與GaN二極管應(yīng)用研究[D]. 黃波.北京交通大學(xué) 2016



本文編號：3563604