以聚乙烯吡咯烷酮（PVP）作為高分子聚合物配體,采用靜電紡絲法制備了Si/C復合負極材料。利用PVP高溫燒結形成的碳作為體積緩沖骨架,有效地解決了硅在循環(huán)過程中的體積膨脹和粉化問題。采用X射線衍射（XRD）、拉曼光譜（Raman）和掃描電子顯微鏡（SEM）對復合材料的晶體結構及微觀形貌進行了研究。結果表明,材料整體呈纖維狀分布,纖維直徑300⁴00 nm,Si粒子以"麥穗狀"均勻地分布在由無定形碳構成的纖維上。電化學測試結果表明,復合材料首次充放電的不可逆容量為294.9 mAh/g,是由于電極與電解液界面間固態(tài)電解質（SEI）膜的形成所致。另外,復合材料在低倍率（0.1C、0.2C和0.5C）和高倍率（1.0C和2.0C）下均具有較高的庫倫效率及較好的循環(huán)穩(wěn)定性。 

【文章來源】：無機材料學報. 2014,29(02)北大核心EISCICSCD

【文章頁數】：6 頁

【文章目錄】：
1實驗部分
    1.1材料的制備
    1.2材料物理性能表征
    1.3材料電化學性能表征
2結果和討論
    2.1結構分析
    2.2形貌分析
    2.3電化學性能分析
3結論



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