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ZrO 2 摻雜和MgO包覆協(xié)同增強(qiáng)LiNi 0.88 Co 0.09 Mn 0.03 O 2 的電化學(xué)性能

發(fā)布時(shí)間:2021-11-16 07:19
  為提高LiNi0.88Co0.09Mn0.03O2的電化學(xué)性能與熱穩(wěn)定性,采用ZrO2摻雜和MgO包覆,成功合成一系列正極材料。采用粉末衍射儀、掃描電子顯微鏡、差失掃描量熱儀、充放電測(cè)試儀、電化學(xué)阻抗對(duì)材料的物理性能與電化學(xué)性能分析測(cè)試。結(jié)果表明,相比純樣品,摻鋯與摻鋯包鎂材料的熱穩(wěn)定性分別提高了5.7與8.3℃;其100次循環(huán)后容量保持率由82.52%分別提高至91.68%與95.96%,并且有比較好的倍率性能;電化學(xué)阻抗減小至275.9Ω,證實(shí)了摻鋯包鎂可有效改善材料的循環(huán)性能與熱穩(wěn)定性。 

【文章來(lái)源】:電源技術(shù). 2020,44(09)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)

【部分圖文】:

ZrO 2 摻雜和MgO包覆協(xié)同增強(qiáng)LiNi 0.88 Co 0.09 Mn 0.03 O 2 的電化學(xué)性能


圖4b是第100次循環(huán)得到的25?C放電曲線

狀態(tài)圖,熱穩(wěn)定性,狀態(tài),循環(huán)次數(shù)


40?80?120?160?200?240??放電比容量/(mAh.?g—1)??20?40?60?80?100??循環(huán)次數(shù)??20?40?60?80?100??循環(huán)次數(shù)??圖5??1次循環(huán)H2-H3相的峰強(qiáng)大小基本未變,說(shuō)明基本沒(méi)有不可逆??相出現(xiàn)。圖4(b)是第100次循環(huán)得到的25?C放電曲線。??圖4(b)是1?C、25?"C下循環(huán)100次后,在4.2?V時(shí),LNCM??的H2—H3的峰強(qiáng)明顯降低,說(shuō)明了在循環(huán)過(guò)程中H2-H3相??變不可逆性增加。這可能是機(jī)械應(yīng)力引起嚴(yán)重的結(jié)構(gòu)坍塌造成??了有害的?H2-H3?相變。而?LNCMZ-0.1、LNCMZ>M?的?H2-H3?峰??強(qiáng)變化比較小,說(shuō)明摻鋯與包鎂可以有效減小材料在循環(huán)過(guò)程??中的不可逆相變。同時(shí),當(dāng)還原峰向低電位移動(dòng)時(shí)氧化峰明顯??向高電位移動(dòng),說(shuō)明了循環(huán)后三種材料的電位差逐漸增大,其??中LNCM的氧化還原電位差最大為0.169?8?V,而摻鋯的電位??差為0.077?8?V,摻錯(cuò)包鎂的為0.054?7?V,從而說(shuō)明摻雜以及摻??雜包覆可以有效減小電池充放電過(guò)程中的極化現(xiàn)象,并且提高??了材料的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,抑制其相變利于改善循環(huán)穩(wěn)定性。??2.4熱穩(wěn)定性分析??將半電池在0.1?C下充放電一次后繼續(xù)充至4.3?V停止,??得到三種材料的熱穩(wěn)定曲線(圖5)。在50?350'C下以5-C/min??0.20??0.1!??0.K??—:〇.〇?*??^?0.0(??-0.1(??-O.lf??-0.2(??—0.2f??镲??圖4??100??0?5?10?15?20?25??循環(huán)次數(shù)??圖3?⑻LNCMZ、LNCMZ

阻抗圖,阻抗圖,電化學(xué),材料


究與設(shè)計(jì)??趕逄歧i'??掃描測(cè)試。LNCM、LNCMZ>0.1以及LNCMZ-M的放熱峰分別??是213.6、218.3與221.9?X:。相比LNCM,摻鋯以及摻鋯包鎂的??放熱峰分別向右偏移了?5.7、8.3?‘C?,說(shuō)明放熱峰溫度增加,而??放熱峰的面積逐漸減小,從而證明可摻錯(cuò)以及摻鋯包鎂能更??好改善材料的熱穩(wěn)定性能。??2.5電化學(xué)阻抗分析??電化學(xué)阻抗是研究電池在循環(huán)過(guò)程中動(dòng)力學(xué)行為與鋰離??子擴(kuò)散特征的一種手段。圖6是三種正極材料的Nyquists圖,??其等效電路圖對(duì)應(yīng)的是第1次循環(huán)與第100次循環(huán)的曲線。??其中盡代表電池內(nèi)部歐姆阻抗,反映了隔膜、極片的電導(dǎo)率;??風(fēng)與CP島表示電極與電解質(zhì)界面形成的膜阻抗與電容;凡與??GP^表示電子轉(zhuǎn)移阻抗;W表示鋰離子遷移阻抗。引起這些??原因可能是充放電過(guò)程中引起結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變與降解造成的圖6??(a)是循環(huán)1次后顯示由一個(gè)高頻半圓與直線組成。與LNCM??相比,摻鋯包鎂正極材料的電子轉(zhuǎn)移阻抗明顯減小,這是因?yàn)??摻Zr02不僅提高電子導(dǎo)電性,而且縮短了離子遷移路徑,以及??包覆MgO可降低電解液與材料表面的副反應(yīng)。圖6(b)中100??次循環(huán)后H種材料在低頻區(qū)沒(méi)有線性部分,這是與測(cè)試設(shè)備??的參數(shù)設(shè)置有關(guān)。LNCM與LNCMZ-0.1兩種樣品懇阻抗增??大,其歸因于樣品表面與電解液發(fā)生副反應(yīng),并且電解液滲透??到了二次粒子內(nèi)部的。而LNCMZ>M阻抗減小說(shuō)明摻鋯包鎂??不僅可以降低Li+/NP混排、而且能在循環(huán)過(guò)程中減緩材料結(jié)??構(gòu)#塌引起的相變,抑制了電子轉(zhuǎn)移阻抗的增大,并減緩了??NiO膜的生成。此外,根據(jù)鋰離子擴(kuò)散系數(shù)公式評(píng)價(jià)三種材料??的鋰離


本文編號(hào):3498405

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