發(fā)布時(shí)間：2021-10-29 00:53

　　為了抑制聚四氟乙烯材料表面電荷積聚,采用射頻產(chǎn)生氮等離子體對(duì)其表面進(jìn)行等離子體浸沒(méi)離子注入以改善其表面性能。對(duì)注入前后的聚四氟乙烯材料樣品進(jìn)行了X射線光電子能譜分析（XPS）、傅里葉紅外光譜測(cè)試（FTIR）、水接觸角測(cè)量、表面電阻率測(cè)量以及表面電位衰減測(cè)量,并基于等溫表面電位衰減理論對(duì)其表面陷阱能級(jí)和密度分布進(jìn)行了計(jì)算,以分析聚四氟乙烯樣品經(jīng)離子注入處理后其表面成分和物理性能的變化,并研究了這些變化對(duì)聚四氟乙烯樣品表面電荷積聚和消散特性的影響。結(jié)果表明:氮離子注入后,聚四氟乙烯材料表面化學(xué)成分的主要變化是自身分子結(jié)構(gòu)的破壞和轉(zhuǎn)化,部分CF₂結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)镃F和CF₃結(jié)構(gòu),導(dǎo)致樣品表面陷阱能級(jí)變淺;水接觸角升至140°左右,比未處理樣品上升了約27°,表面電阻率降至3×10¹⁵Ω,比未處理樣品下降了兩個(gè)數(shù)量級(jí);表面電暈放電1 min后,經(jīng)氮離子注入處理的聚四氟乙烯材料表面積聚電荷量減少,消散速度加快,這是因?yàn)楸砻嫦葳迥芗?jí)變淺有利于表面電荷脫陷,同時(shí)表面電阻率降低也促進(jìn)了表面電荷沿面?zhèn)鲗?dǎo)的消散過(guò)程,聚四氟乙烯樣品表面陷阱能級(jí)分布... 

【文章來(lái)源】：強(qiáng)激光與粒子束. 2020,32(07)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：10 頁(yè)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]聚四氟乙烯沿面閃絡(luò)電壓規(guī)律[J]. 周立棟,孫永衛(wèi),原青云,蒙志成,楊茂松.  強(qiáng)激光與粒子束. 2017(08)
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碩士論文
[1]氮離子注入單晶硅的性能研究[D]. 趙二敏.河北工業(yè)大學(xué) 2008



本文編號(hào)：3463646