氮離子注入對(duì)聚四氟乙烯表面電荷積聚和消散特性的影響
發(fā)布時(shí)間:2021-10-29 00:53
為了抑制聚四氟乙烯材料表面電荷積聚,采用射頻產(chǎn)生氮等離子體對(duì)其表面進(jìn)行等離子體浸沒離子注入以改善其表面性能。對(duì)注入前后的聚四氟乙烯材料樣品進(jìn)行了X射線光電子能譜分析(XPS)、傅里葉紅外光譜測(cè)試(FTIR)、水接觸角測(cè)量、表面電阻率測(cè)量以及表面電位衰減測(cè)量,并基于等溫表面電位衰減理論對(duì)其表面陷阱能級(jí)和密度分布進(jìn)行了計(jì)算,以分析聚四氟乙烯樣品經(jīng)離子注入處理后其表面成分和物理性能的變化,并研究了這些變化對(duì)聚四氟乙烯樣品表面電荷積聚和消散特性的影響。結(jié)果表明:氮離子注入后,聚四氟乙烯材料表面化學(xué)成分的主要變化是自身分子結(jié)構(gòu)的破壞和轉(zhuǎn)化,部分CF2結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)镃F和CF3結(jié)構(gòu),導(dǎo)致樣品表面陷阱能級(jí)變淺;水接觸角升至140°左右,比未處理樣品上升了約27°,表面電阻率降至3×1015Ω,比未處理樣品下降了兩個(gè)數(shù)量級(jí);表面電暈放電1 min后,經(jīng)氮離子注入處理的聚四氟乙烯材料表面積聚電荷量減少,消散速度加快,這是因?yàn)楸砻嫦葳迥芗?jí)變淺有利于表面電荷脫陷,同時(shí)表面電阻率降低也促進(jìn)了表面電荷沿面?zhèn)鲗?dǎo)的消散過程,聚四氟乙烯樣品表面陷阱能級(jí)分布...
【文章來源】:強(qiáng)激光與粒子束. 2020,32(07)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:10 頁
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]聚四氟乙烯沿面閃絡(luò)電壓規(guī)律[J]. 周立棟,孫永衛(wèi),原青云,蒙志成,楊茂松. 強(qiáng)激光與粒子束. 2017(08)
[2]表面改性對(duì)絕緣子真空沿面閃絡(luò)特性的影響[J]. 柯昌鳳,劉文元,段荔,李琳,湯俊萍,陳昌華. 強(qiáng)激光與粒子束. 2014(06)
[3]聚四氟乙烯的改性及應(yīng)用[J]. 謝蘇江. 化工新型材料. 2002(11)
[4]表面電荷積聚對(duì)絕緣子沿面閃絡(luò)影響的研究[J]. 汪沨,邱毓昌,張喬根,王琦. 中國電力. 2002(09)
[5]氮離子注入對(duì)有機(jī)高分子材料表面電阻率和硬度的影響[J]. 劉松,李德軍. 微細(xì)加工技術(shù). 1999(02)
碩士論文
[1]氮離子注入單晶硅的性能研究[D]. 趙二敏.河北工業(yè)大學(xué) 2008
本文編號(hào):3463646
【文章來源】:強(qiáng)激光與粒子束. 2020,32(07)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:10 頁
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]聚四氟乙烯沿面閃絡(luò)電壓規(guī)律[J]. 周立棟,孫永衛(wèi),原青云,蒙志成,楊茂松. 強(qiáng)激光與粒子束. 2017(08)
[2]表面改性對(duì)絕緣子真空沿面閃絡(luò)特性的影響[J]. 柯昌鳳,劉文元,段荔,李琳,湯俊萍,陳昌華. 強(qiáng)激光與粒子束. 2014(06)
[3]聚四氟乙烯的改性及應(yīng)用[J]. 謝蘇江. 化工新型材料. 2002(11)
[4]表面電荷積聚對(duì)絕緣子沿面閃絡(luò)影響的研究[J]. 汪沨,邱毓昌,張喬根,王琦. 中國電力. 2002(09)
[5]氮離子注入對(duì)有機(jī)高分子材料表面電阻率和硬度的影響[J]. 劉松,李德軍. 微細(xì)加工技術(shù). 1999(02)
碩士論文
[1]氮離子注入單晶硅的性能研究[D]. 趙二敏.河北工業(yè)大學(xué) 2008
本文編號(hào):3463646
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianlilw/3463646.html
最近更新
教材專著