基于Pt/TiO 2-x /TiO 2 /TiO 2+x /Pt雙擴展憶阻器研究
發(fā)布時間：2021-09-19 14:13
本文綜述了國內(nèi)外憶阻器研究現(xiàn)狀，分析了惠普憶阻器的結(jié)構、原理和主要特點。憶阻器的納米尺度、非易失性和可堆疊性具備設計新型大規(guī)模集成電路以延續(xù)甚至突破摩爾定律的能力。憶阻器的運算多值性具有設計人工神經(jīng)網(wǎng)絡和人工智能模擬計算機體系結(jié)構潛能。本文進一步研究了我們提出的新型雙擴展結(jié)構憶阻器并制成了實物樣品，主要開展的研究工作有：1．給出了雙擴展納米尺度結(jié)構憶阻器（即Pt/TiO2-x/TiO2/TiO2+x/Pt納米結(jié)構憶阻器的新結(jié)構并成功獲得一項中國發(fā)明專利授權和兩項美國發(fā)明專利授權）。本論文研究在兩根交叉的鉑納米線之間夾TiO2-x/TiO2/TiO2+x三層納米二氧化鈦半導體薄膜，制備成Pt/TiO2-x/TiO2/TiO2+x/Pt納米結(jié)構，研究這種雙擴展憶阻器模型、工作機理及其特性。2．根據(jù)離子漂移理論，對經(jīng)典的惠普型憶阻器提出了新的建模方法，同時對比討論了雙擴展憶阻器模型特點，并且在Matlab和HSPICE等主流電路仿真軟件平臺下仿真實現(xiàn)。仿真結(jié)果表明本文憶阻器理論模型更加符合憶阻器實物測試結(jié)果。研究了基于惠普型憶阻器了讀寫操作的電路結(jié)構，提出一個能充分發(fā)揮憶阻器存儲與運算特性的...
【文章來源】：黑龍江大學黑龍江省
【文章頁數(shù)】：126 頁
【學位級別】：博士
【部分圖文】：
電荷、電流、電壓、磁通量之間關系圖
圖 1-2 惠普實驗室憶阻器實物圖Fig.1-2 Figure of HP memristor爾公司的創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出著名的管數(shù)目約每隔 18 個月便會增加一倍，性定律的預言一樣，微電子產(chǎn)業(yè)通過縮小晶性能，實現(xiàn)了微電子行業(yè)的突飛猛進，為。通過查閱相關文獻得知特征尺寸為 0.術早已成為半導體制造行業(yè)的主流[1][2]，而 的特征尺寸已經(jīng)達到 35 納米。但是伴隨子技術受極限物理尺寸的限制越來越明過縮小晶體管尺寸已經(jīng)行不通了，微電子管。米電子技術中，阻變存儲器（RRAM—Re
多成果的研究機構包括惠普實驗室，美國加州大學與日本東可以使用 SPICE（Simulation program with intergrated circuit e，應用惠普等給出的參數(shù)指標進行仿真和模擬研究。 年惠普實驗室宣布成功研制了第一個納米級的憶阻器實物元以分為三個方面：阻器理論的研究。阻器物理制備和其交叉陣列的實現(xiàn)。阻器實現(xiàn)電子突觸的研究。器理論的研究在第 2 章詳細介紹。下面先介紹國際上憶阻器 年 8 月，美國加州大學的 Yu. V. Pershin、M. Di Ventra 等人提型——電子自旋阻塞模型[15][16]，其結(jié)構如圖 1-3 所示。這種半導體與鐵磁材料接觸處出現(xiàn)的電子遷移受限的現(xiàn)象設計而成FM接觸面 SC
【參考文獻】：
期刊論文
[1]憶阻器交叉陣列及在圖像處理中的應用[J]. 胡小方,段書凱,王麗丹,廖曉峰. 中國科學:信息科學. 2011(04)
[2]納米材料國內(nèi)外研究進展Ⅰ——納米材料的結(jié)構、特異效應與性能[J]. 朱世東,周根樹,蔡銳,韓燕,田偉. 熱處理技術與裝備. 2010(03)
[3]第四種無源電子元件憶阻器的研究及應用進展[J]. 蔡坤鵬,王睿,周濟. 電子元件與材料. 2010(04)
[4]納米材料及其應用研究進展[J]. 馮異,趙軍武,齊曉霞,高芬. 工具技術. 2006(10)
[5]化學沉積法制備Ni-P納米線與納米管有序陣列[J]. 任鑫,黃新民,張胡海. 物理化學學報. 2006(01)
[6]大規(guī)模制備Ni80Fe20納米線陣列及其磁學特性研究[J]. 符秀麗,王懿,李培剛,陳雷明,張海英,涂清云,L.H.Li,唐為華. 物理學報. 2005(04)
[7]金屬納米微粒的尺寸效應[J]. 齊衛(wèi)宏,汪明樸,徐根應. 材料導報. 2003(10)
[8]TiO2薄膜的制備方法及應用[J]. 吳志猛,張偉強,董闖. 真空. 2003(02)
[9]納米物理學的若干基本問題[J]. 邵明珠,羅詩裕. 漳州師范學院學報(自然科學版). 2002(03)
[10]Co納米孔洞模板的制備和磁性[J]. 于冬亮,楊紹光,都有為. 物理學報. 2002(08)
碩士論文
[1]雙擴展憶阻器納米結(jié)構模型與特性研究[D]. 馮昌浩.黑龍江大學 2012
[2]面向數(shù)據(jù)庫應用的憶阻器存儲器技術[D]. 胡舒凱.國防科學技術大學 2011
[3]納米結(jié)構憶阻器制造技術研究[D]. 王天琦.黑龍江大學 2010
[4]納米晶CoNiFe軟磁薄膜的電化學制備及其結(jié)構、性能的研究[D]. 王秋萍.浙江大學 2010
[5]納米二氧化鈦在環(huán)境衛(wèi)生領域的應用基礎研究[D]. 李協(xié)吉.四川大學 2005
本文編號：3401763
【文章來源】：黑龍江大學黑龍江省
【文章頁數(shù)】：126 頁
【學位級別】：博士
【部分圖文】：
電荷、電流、電壓、磁通量之間關系圖
圖 1-2 惠普實驗室憶阻器實物圖Fig.1-2 Figure of HP memristor爾公司的創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出著名的管數(shù)目約每隔 18 個月便會增加一倍，性定律的預言一樣，微電子產(chǎn)業(yè)通過縮小晶性能，實現(xiàn)了微電子行業(yè)的突飛猛進，為。通過查閱相關文獻得知特征尺寸為 0.術早已成為半導體制造行業(yè)的主流[1][2]，而 的特征尺寸已經(jīng)達到 35 納米。但是伴隨子技術受極限物理尺寸的限制越來越明過縮小晶體管尺寸已經(jīng)行不通了，微電子管。米電子技術中，阻變存儲器（RRAM—Re
多成果的研究機構包括惠普實驗室，美國加州大學與日本東可以使用 SPICE（Simulation program with intergrated circuit e，應用惠普等給出的參數(shù)指標進行仿真和模擬研究。 年惠普實驗室宣布成功研制了第一個納米級的憶阻器實物元以分為三個方面：阻器理論的研究。阻器物理制備和其交叉陣列的實現(xiàn)。阻器實現(xiàn)電子突觸的研究。器理論的研究在第 2 章詳細介紹。下面先介紹國際上憶阻器 年 8 月，美國加州大學的 Yu. V. Pershin、M. Di Ventra 等人提型——電子自旋阻塞模型[15][16]，其結(jié)構如圖 1-3 所示。這種半導體與鐵磁材料接觸處出現(xiàn)的電子遷移受限的現(xiàn)象設計而成FM接觸面 SC
【參考文獻】：
期刊論文
[1]憶阻器交叉陣列及在圖像處理中的應用[J]. 胡小方,段書凱,王麗丹,廖曉峰. 中國科學:信息科學. 2011(04)
[2]納米材料國內(nèi)外研究進展Ⅰ——納米材料的結(jié)構、特異效應與性能[J]. 朱世東,周根樹,蔡銳,韓燕,田偉. 熱處理技術與裝備. 2010(03)
[3]第四種無源電子元件憶阻器的研究及應用進展[J]. 蔡坤鵬,王睿,周濟. 電子元件與材料. 2010(04)
[4]納米材料及其應用研究進展[J]. 馮異,趙軍武,齊曉霞,高芬. 工具技術. 2006(10)
[5]化學沉積法制備Ni-P納米線與納米管有序陣列[J]. 任鑫,黃新民,張胡海. 物理化學學報. 2006(01)
[6]大規(guī)模制備Ni80Fe20納米線陣列及其磁學特性研究[J]. 符秀麗,王懿,李培剛,陳雷明,張海英,涂清云,L.H.Li,唐為華. 物理學報. 2005(04)
[7]金屬納米微粒的尺寸效應[J]. 齊衛(wèi)宏,汪明樸,徐根應. 材料導報. 2003(10)
[8]TiO2薄膜的制備方法及應用[J]. 吳志猛,張偉強,董闖. 真空. 2003(02)
[9]納米物理學的若干基本問題[J]. 邵明珠,羅詩裕. 漳州師范學院學報(自然科學版). 2002(03)
[10]Co納米孔洞模板的制備和磁性[J]. 于冬亮,楊紹光,都有為. 物理學報. 2002(08)
碩士論文
[1]雙擴展憶阻器納米結(jié)構模型與特性研究[D]. 馮昌浩.黑龍江大學 2012
[2]面向數(shù)據(jù)庫應用的憶阻器存儲器技術[D]. 胡舒凱.國防科學技術大學 2011
[3]納米結(jié)構憶阻器制造技術研究[D]. 王天琦.黑龍江大學 2010
[4]納米晶CoNiFe軟磁薄膜的電化學制備及其結(jié)構、性能的研究[D]. 王秋萍.浙江大學 2010
[5]納米二氧化鈦在環(huán)境衛(wèi)生領域的應用基礎研究[D]. 李協(xié)吉.四川大學 2005
本文編號：3401763
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