以化學(xué)水浴法制備Zn-O-S薄膜,82℃條件下,先在燒杯中依次加入硫酸鋅、硫酸銨、氨水,再加入不同濃度的硫脲后,得到Zn-O-S薄膜。使用臺(tái)階儀、掃描電鏡、X射線衍射、紫外分光光度計(jì)對(duì)樣品進(jìn)行表征分析,得到薄膜的厚度、結(jié)晶形貌、物相特征、光學(xué)特性等,利用Tauc公式,導(dǎo)入外推切線得到樣品的光學(xué)帶隙,通過(guò)這些信息分析硫脲濃度對(duì)樣品的影響。當(dāng)硫脲濃度為0.167 mol/L時(shí),襯底上晶粒緊密孔隙小、雜質(zhì)少,ZnO納米棒、大尺寸晶粒都最少;XRD衍射圖譜中,在28.5°及31°附近出現(xiàn)明顯的衍射峰,分別對(duì)應(yīng)（111）晶向的ZnS和（100）晶向的ZnO;該條件下樣品的光學(xué)帶隙為3.52 eV,是最低的。 

【文章來(lái)源】：電源技術(shù). 2020,44(09)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

圖３⑻－（ｄ）分別對(duì)應(yīng)０．１６７、０．２、０．２３、０．２６?ｍｏｌ／Ｌ硫脲樣品的??ＥＤＳ能譜圖??２０２０．９?Ｖｏｌ．４４?Ｎｏ．９??１３１

?Ｔ?＝?ｅ￣ａｄ?（２）??薄膜吸收系數(shù)與其對(duì)應(yīng)光學(xué)帶隙有如下關(guān)系，根據(jù)Ｔａｕｃ公??式：??ａｈｖ＝Ａ（ｎｖ－Ｅ％ｙ?（３）??式中：Ａ為常數(shù)；Ａｕ為光子能量；Ａ為普朗克常數(shù)；Ｕ為光子頻??率；乓為薄膜光學(xué)帶隙。??因?yàn)椋冢睿雍停冢睿暇鶠橹苯訋栋雽?dǎo)體，允許偶極躍遷，??３００?４００?５００?６００?７００?８００?９００??波長(zhǎng)／ｎｍ??１．０??０．８??０，６??Ｘｉｌ??Ｐｋ??Ｕ??１０?２０?３０?４０?５０?６０??２?沒(méi)／（。）??圖５?０．１６７?ｍｏｌ／Ｌ硫脲濃度下制備Ｚｎ－Ｏ－Ｓ薄膜ＸＲＤ圖譜??長(zhǎng)范圍：３００？９００ｒｎｎ。通過(guò)計(jì)算，得到制備薄膜樣品的帶隙。??圖６為０．０３？０．２６?ｍｏｌ／Ｌ硫脲條件下制備Ｚｎ－０－Ｓ薄膜的透過(guò)??率和吸光度。??ｕ．ｕ????３．２??３．４?３．６??３．８??Ｕ．Ｕ??３．２??３．４?３．６?３．８??故的值�。保�。在（ｏｆｔｕ）２與Ａｕ的關(guān)系圖譜中，取線性擬合域??斜率，其對(duì)應(yīng)在兀軸的截距，即為薄膜帶隙值乓。圖７中１￣８??分別為?０．０３、０．０６７、０．１、０．１３、０．１６７、０．２、０．２３、０．２６?ｍｏｌ／Ｌ?硫脲??條件下樣品的帶隙計(jì)算。??ｈｖ／ｅＶ?Ａｖ／ｅＶ??圖?７?１￣８?分別為?０．０３、０．０６７、０．１、０．１３、０．１６７、０．２、０．２３、??０．２６?ｍｏｌ／Ｌ硫脲條件下樣品的帶隙計(jì)算??通過(guò)計(jì)算，得到各條件下生長(zhǎng)的薄膜對(duì)應(yīng)帶隙值見(jiàn)表??２�？梢钥闯�，０．１３?ｍｏｌ／Ｌ硫脲條件下生長(zhǎng)的薄膜帶隙值最低，??為３．５２?ｅＶｃＺｎＳ帶隙為３．６５?ｅＶ，ＺｎＯ帶隙為３

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽(yáng)能電池發(fā)展概述[J]. 梁傳志,王朝霞,郭梁雨.  建設(shè)科技. 2015(18)
[2]CIGS薄膜太陽(yáng)能電池緩沖層材料的研究進(jìn)展[J]. 王衛(wèi)兵,劉平,李偉,馬鳳倉(cāng),劉新寬,陳小紅.  材料導(dǎo)報(bào). 2012(19)
[3]Cu（In,Ga）Se2太陽(yáng)電池緩沖層ZnS薄膜性質(zhì)及應(yīng)用[J]. 劉琪,冒國(guó)兵,敖建平.  半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2007(05)



本文編號(hào)：3321088