隔離開關廣泛應用于氣體絕緣開關設備（GIS）中,文中采用三維有限元電場分析軟件,建立了GIS隔離開關氣室的三維電場仿真模型,計算了GIS隔離開關氣室內各部件的電場分布,研究了金屬異物對隔離開關氣室內部SF6間隙電場分布的影響規(guī)律,發(fā)現金屬異物的存在引起隔離開關動觸頭屏蔽罩附近場強發(fā)生明顯畸變,可能會導致GIS隔離開關氣室絕緣故障。文中研究通過電場模擬手段,分析了金屬異物對GIS隔離開關氣室內部電場分布的影響,為今后GIS類似故障的處理分析提供借鑒與參考。 

【文章來源】：高壓電器. 2020,56(08)北大核心CSCD

【文章頁數】：6 頁

【部分圖文】：

GIS隔離開關結構示意圖

圖1 GIS隔離開關結構示意圖從電場分布結果來看，在GIS隔離開關氣室內部，動觸頭屏蔽環(huán)、末端屏蔽以及靜觸頭屏蔽罩表面均出現了較明顯的電場畸變。GIS隔離開關氣室各關鍵部件的表面最高場強見表2。其中，隔離開關動觸頭側屏蔽環(huán)表面場強最高，為7.55 kV/mm，動觸頭末端屏蔽罩表面最高場強達到了6.23 kV/mm，靜觸頭側盆式絕緣子盆體凸面最高場強為4.08 kV/mm，要高于動觸頭側盆式絕緣子。

從電場分布結果來看，在GIS隔離開關氣室內部，動觸頭屏蔽環(huán)、末端屏蔽以及靜觸頭屏蔽罩表面均出現了較明顯的電場畸變。GIS隔離開關氣室各關鍵部件的表面最高場強見表2。其中，隔離開關動觸頭側屏蔽環(huán)表面場強最高，為7.55 kV/mm，動觸頭末端屏蔽罩表面最高場強達到了6.23 kV/mm，靜觸頭側盆式絕緣子盆體凸面最高場強為4.08 kV/mm，要高于動觸頭側盆式絕緣子。2 GIS隔離開關故障情況

【參考文獻】：
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本文編號：3268387