利用正交試驗,對溶膠-凝膠法（sol-gel）制備Al/Ga共摻雜Zn O透明導電薄膜（GAZO）的工藝進行優(yōu)化,研究溶膠濃度、摻雜配比、熱處理溫度、薄膜厚度等因素對薄膜光電性能的影響規(guī)律。分別以薄膜的透光率和電阻率作為評價指標,確定制備GAZO薄膜的最佳工藝參數。采用X射線衍射儀（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）、可見分光光度計和雙電測四探針電阻率測試儀分別分析薄膜的結構、表面形貌以及光電性能等。結果表明:Al和Ga的摻入未影響Zn O的晶體結構,也未生成其他雜質氧化物。最佳工藝條件下,薄膜在可見光范圍內的透過率為88.458%,電阻率為2.66×10^-3Ω·cm。 

【文章來源】：太陽能學報. 2015,36(07)北大核心EICSCD

【文章頁數】：6 頁

【參考文獻】：
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本文編號：3265206