Al/Ga共摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜的正交優(yōu)化
發(fā)布時(shí)間:2021-07-04 17:16
利用正交試驗(yàn),對(duì)溶膠-凝膠法(sol-gel)制備Al/Ga共摻雜Zn O透明導(dǎo)電薄膜(GAZO)的工藝進(jìn)行優(yōu)化,研究溶膠濃度、摻雜配比、熱處理溫度、薄膜厚度等因素對(duì)薄膜光電性能的影響規(guī)律。分別以薄膜的透光率和電阻率作為評(píng)價(jià)指標(biāo),確定制備GAZO薄膜的最佳工藝參數(shù)。采用X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、可見(jiàn)分光光度計(jì)和雙電測(cè)四探針電阻率測(cè)試儀分別分析薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌以及光電性能等。結(jié)果表明:Al和Ga的摻入未影響Zn O的晶體結(jié)構(gòu),也未生成其他雜質(zhì)氧化物。最佳工藝條件下,薄膜在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的透過(guò)率為88.458%,電阻率為2.66×10-3Ω·cm。
【文章來(lái)源】:太陽(yáng)能學(xué)報(bào). 2015,36(07)北大核心EICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:6 頁(yè)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]柔性PEN襯底ZnO:Ga薄膜的性能研究[J]. 謝軻,蔡宏琨,陶科,胡居濤,靳果,張德賢. 光電子.激光. 2011(11)
[2]太陽(yáng)電池用共摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)及性能[J]. 王輝,袁玉珍,劉漢法,張化福,劉云燕,劉俊成. 太陽(yáng)能學(xué)報(bào). 2011(04)
[3]溶膠-凝膠法制備AZO薄膜及Al摻雜機(jī)理的研究[J]. 許瑩,竇玉博,王娟. 功能材料. 2010(S2)
[4]透明導(dǎo)電薄膜的研究現(xiàn)狀及應(yīng)用[J]. 李世濤,喬學(xué)亮,陳建國(guó). 激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2003(07)
[5]AZO透明導(dǎo)電薄膜的特性、制備與應(yīng)用[J]. 范志新. 光電子技術(shù). 2000(04)
本文編號(hào):3265206
【文章來(lái)源】:太陽(yáng)能學(xué)報(bào). 2015,36(07)北大核心EICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:6 頁(yè)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]柔性PEN襯底ZnO:Ga薄膜的性能研究[J]. 謝軻,蔡宏琨,陶科,胡居濤,靳果,張德賢. 光電子.激光. 2011(11)
[2]太陽(yáng)電池用共摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)及性能[J]. 王輝,袁玉珍,劉漢法,張化福,劉云燕,劉俊成. 太陽(yáng)能學(xué)報(bào). 2011(04)
[3]溶膠-凝膠法制備AZO薄膜及Al摻雜機(jī)理的研究[J]. 許瑩,竇玉博,王娟. 功能材料. 2010(S2)
[4]透明導(dǎo)電薄膜的研究現(xiàn)狀及應(yīng)用[J]. 李世濤,喬學(xué)亮,陳建國(guó). 激光與光電子學(xué)進(jìn)展. 2003(07)
[5]AZO透明導(dǎo)電薄膜的特性、制備與應(yīng)用[J]. 范志新. 光電子技術(shù). 2000(04)
本文編號(hào):3265206
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