以含羧基化合物A或其銨鹽B,又或焦磷酸鉀作為輔助配位劑進(jìn)行無氰電鍍銀。鍍液的基礎(chǔ)組成和工藝條件為:硝酸銀5 g/L,丁二酰亞胺60 g/L,硼砂5～10 g/L,pH=9.5±0.5,溫度20～30°C,磁力攪拌,時間30 min。研究了3種輔助配位劑對無氰電鍍銀光亮電流密度范圍及銀層光澤、結(jié)合力和表面形貌的影響。結(jié)果表明,采用化合物含羧基銨鹽化合物B作為輔助配位劑時光亮電流密度范圍為0.020～0.867 A/dm2,所得銀層的光澤高達(dá)579 Gs,結(jié)合力良好,組織結(jié)構(gòu)受電流密度的影響較小。 

【文章來源】：電鍍與涂飾. 2020,39(21)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

圖1 分別采用含羧基化合物A(a)及其銨鹽B(b)和焦磷酸鉀(c)作為輔助配位劑時赫爾槽試片的外觀示意圖

對從不同輔助配位劑體系鍍液中電鍍所得光亮鍍銀層進(jìn)行熱震試驗(yàn)，均無起泡或脫落，彎折后的鍍銀層也沒有出現(xiàn)起皮、裂紋和剝落現(xiàn)象(見圖2)，說明從3種輔助配位劑體系中所得鍍層的結(jié)合力均良好。2.4 輔助配位劑對鍍銀層表面形貌的影響

從圖4可知，采用化合物B作為輔助配位劑時，在不同電流密度下所得鍍銀層的XRD譜圖中除Ag的衍射峰外，未探測到其他雜峰。隨電流密度升高，各衍射峰的峰位、寬度和高度都沒有明顯變化，說明電流密度對鍍層結(jié)構(gòu)的影響不大。在電流密度0.4 A/dm2下所得鍍銀層的(200)晶面的峰高出現(xiàn)差異可能是分析過程中的噪聲所致[16]。圖4 采用含羧基的化合物B作為輔助配位劑時在不同電流密度下所得光亮鍍銀層的XRD譜圖

【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
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本文編號：3235308