為了研究載流子選擇性接觸結(jié)構(gòu)在N型晶硅電池鈍化特性,本文設(shè)計(jì)了專門(mén)的材料結(jié)構(gòu)。分析對(duì)比了不同摻雜濃度分布的材料結(jié)構(gòu)在退火后、沉積SiNx∶H薄膜后及燒結(jié)后隱開(kāi)路電壓值的變化,并對(duì)其鈍化機(jī)理進(jìn)行了分析。研究結(jié)果表明隱開(kāi)路電壓值對(duì)摻雜濃度分布非常敏感。隨著摻雜濃度分布進(jìn)入硅基體的"穿透"深度增加,相對(duì)應(yīng)地退火后、SiNx∶H薄膜沉積后及燒結(jié)后隱開(kāi)路電壓值均呈現(xiàn)先增加后減小的趨勢(shì),且樣片沉積SiNx∶H薄膜后隱開(kāi)路電壓的增加幅度也逐漸減小,而樣片燒結(jié)后隱開(kāi)路電壓值又出現(xiàn)不同幅度的下降,且隱開(kāi)路電壓值的下降幅度逐漸減小。通過(guò)適當(dāng)?shù)膿诫s工藝,可以使得燒結(jié)后的隱開(kāi)路電壓均值達(dá)到738 mV。 

【文章來(lái)源】：人工晶體學(xué)報(bào). 2020,49(09)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引 言
1 材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制作
2 結(jié)果與討論
    2.1 鈍化特性結(jié)果分析
    2.2 摻雜濃度分布對(duì)鈍化特性分析
3 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]高效單晶硅太陽(yáng)電池的最新進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)[J]. 陳俊帆,趙生盛,高天,徐玉增,張力,丁毅,張曉丹,趙穎,侯國(guó)付.  材料導(dǎo)報(bào). 2019(01)



本文編號(hào)：3190946