硅基雜化太陽(yáng)電池結(jié)合了硅材料載流子遷移率高的優(yōu)勢(shì),以及有機(jī)物的材料易合成、光電特性可調(diào)的特點(diǎn),具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低以及柔性等適合未來(lái)應(yīng)用發(fā)展的潛力特征。但是有機(jī)物和無(wú)機(jī)物之間固有的結(jié)構(gòu)和物理化學(xué)性質(zhì)的差異使其界面特性和穩(wěn)定性均存在一定的問(wèn)題。本論文針對(duì)硅基太陽(yáng)電池半導(dǎo)體之間的界面復(fù)合、有機(jī)物和無(wú)機(jī)物載流子的傳輸性能差異過(guò)大的問(wèn)題,開(kāi)展了硅基雜化太陽(yáng)電池的界面修飾和結(jié)構(gòu)優(yōu)化的工作,主要研究?jī)?nèi)容如下:（1）針對(duì)有機(jī)物穩(wěn)定性差的問(wèn)題,選擇無(wú)機(jī)物作為成結(jié)材料和硅結(jié)合,采用wxAMPS對(duì)多種無(wú)機(jī)物進(jìn)行擬合,選擇Cu2O作為p型材料,采用水熱法制備Cu2O,對(duì)水熱過(guò)程沉積電流進(jìn)行調(diào)控,并采用氨水去除表面雜質(zhì)、探究退火對(duì)表面形貌的影響。在硅片上沉積CU2O后,濺射制備Ag電極,制備的電池在25min處取得了最優(yōu)值,短路電路密度為13.42mA/cm2,開(kāi)路電壓為0.29V,效率為1.92%。采用wxAMPS對(duì)Cu2O/Si太陽(yáng)電池進(jìn)行了模擬,并探究了電子傳輸層TiO2對(duì)電池性能的影響和作用機(jī)理。（2）針對(duì)有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu),開(kāi)展有機(jī)/硅基太陽(yáng)電池中有機(jī)物的性質(zhì)的優(yōu)化,引入其他修飾層對(duì)電池... 

【文章來(lái)源】：華北電力大學(xué)(北京)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：50 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 課題背景
    1.2 硅基雜化太陽(yáng)電池的分類(lèi)和發(fā)展
        1.2.1 有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)電池
        1.2.2 全無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)電池
    1.3 太陽(yáng)電池的基本原理
    1.4 本文研究?jī)?nèi)容
第2章 實(shí)驗(yàn)及表征技術(shù)
    2.1 實(shí)驗(yàn)試劑及設(shè)備
    2.2 硅基雜化太陽(yáng)電池的表征方法
        2.2.1 X射線(xiàn)電子衍射
        2.2.2 掃描電子顯微鏡
        2.2.3 原子力顯微鏡
    2.3 硅基雜化太陽(yáng)電池的模擬
2O/Si電池的制備與研究">第3章 Cu₂O/Si電池的制備與研究
    3.1 引言
    3.2 氧化亞銅的制備
    3.3 氧化亞銅的表征
2O/Si太陽(yáng)電池的制備和性能表征">    3.4 Cu₂O/Si太陽(yáng)電池的制備和性能表征
2O/Si太陽(yáng)電池的模擬計(jì)算和優(yōu)化設(shè)計(jì)">    3.5 CU₂O/Si太陽(yáng)電池的模擬計(jì)算和優(yōu)化設(shè)計(jì)
    3.6 本章小節(jié)
第4章 PEDOT:PSS/Si太陽(yáng)電池的優(yōu)化設(shè)計(jì)研究
    4.1 引言
    4.2 PEDOT:PSS/Si太陽(yáng)電池的制備參數(shù)優(yōu)化
    4.3 PEDOT:PSS/Si太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)優(yōu)化
    4.4 本章小結(jié)
第5章 結(jié)論和展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文及其它成果
致謝



本文編號(hào)：3157269