高壓大功率電力電力變換器的需求日益增加,而單個功率器件難以滿足應用的需求,因此需采用器件串聯(lián)的方式。寬禁帶半導體器件SiC MOSFET具有高頻、高耐壓、高開關速度的優(yōu)勢,基于SiC MOSFET的串聯(lián)變換器不僅滿足高壓大功率的需求,而且滿足高頻、高功率密度的發(fā)展趨勢,但由于器件工藝的不成熟,基于純SiC MOSFET的串聯(lián)變換器成本昂貴、過載能力弱,容錯率低�；赟i IGBT/SiC MOSFET混合并聯(lián)器件的串聯(lián)變換器具有低導通損耗、低開關損耗、高短路耐量的優(yōu)勢,滿足高壓、高頻以及高功率密度的應用需求,而且在變換器中器件失效的條件下仍可以帶故障運行,提高了系統(tǒng)的容錯率。在此介紹了基于并聯(lián)混合器件的串聯(lián)變換器結構,基于功率器件的失效模式制定了相應的故障處理策略,并分析了基于混合并聯(lián)器件的串聯(lián)變換器的可靠性,最后基于搭建的串聯(lián)變換器實驗樣機驗證了該變換器的故障運行能力。 

【文章來源】：電力電子技術. 2020,54(10)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

圖２開路故障控制策略??Ｆｉｇ．?２?Ｃｏｎｔｒｏｌ?ｓｔｒａｔｅｇｙ?ｏｆ?ｏｐｅｎ－ｃｉｒｃｕｉｔ?ｆａｕｌｔ??

圖３短路故障控制策略??Ｆｉｇ．?３?Ｃｏｎｔｒｏｌ?ｓｔｒａｔｅｇｙ?ｏｆ?ｓｈｏｒｔ－ｃｉｒｃｕｉｔ?ｆａｕｌｔ??

圖４有無冗余可靠性對比??Ｆｉｇ．?４?Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ?ｏｆ?ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ?ｗｉｔｈ／ｗｉｔｈｏｕｔ?ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ??１４０４??０??

【參考文獻】：
期刊論文
[1]基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關器件綜述[J]. 寧圃奇,李磊,曹瀚,溫旭輝.  電工電能新技術. 2018(10)
[2]SiC MOSFETs與Si IGBTs的性能對比研究[J]. 鄭浩,王學梅,張波.  電力電子技術. 2015(12)
[3]IGBT關斷瞬態(tài)過壓擊穿特性研究[J]. 汪波,胡安,唐勇,陳明.  電力電子技術. 2011(09)

碩士論文
[1]基于SiC/Si混合并聯(lián)器件的全橋DC/DC變換器優(yōu)化設計[D]. 王丹.南京航空航天大學 2018



本文編號：3085553