研究同一小硅錠中不同部位的硼鎵共摻多晶硅片制備成背鈍化太陽電池后,不同的電池效率和光衰情況,并研究經(jīng)過同樣的抗光衰處理后這些電池的光衰情況。測試結(jié)果顯示,硅錠尾部位置的硅片具有最高的電阻率、最高的氧含量、最低的硼、鎵含量及最高的雜質(zhì)含量。將硅錠不同位置的硅片經(jīng)過量產(chǎn)產(chǎn)線制成背鈍化電池后,頭部硅片得到的電池片的平均轉(zhuǎn)換效率為19.08%,中部硅片得到的電池片的平均轉(zhuǎn)換效率平均效率為19.15%,尾部硅片得到的電池片的平均轉(zhuǎn)換效率為19.06%。光衰結(jié)果顯示,對于未經(jīng)過抗光衰處理的電池片,頭部和中部位置具有較低的光衰比例,而尾部位置具有較高的光衰比例;電池片經(jīng)過抗光衰處理后,不同位置對應(yīng)的電池片都有效率提升,繼續(xù)經(jīng)過光衰測試后,尾部位置出現(xiàn)較明顯的抗光衰效果。該研究對硼鎵共摻多晶硅片生產(chǎn)和多晶背鈍化電池抗光衰工藝具有指導(dǎo)意義。 

【文章來源】：太陽能學(xué)報. 2020,41(07)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

硅片選擇示意圖

硅片的不同位置對硅片性質(zhì)的影響

硅片的不同位置對硅片性質(zhì)的影響

【參考文獻】：
期刊論文
[1]摻硼p型晶硅太陽電池LID恢復(fù)研究[J]. 陳健生,董方,楊德仁,包大新,趙鋒,傅曉敏.  半導(dǎo)體光電. 2016(02)



本文編號：3081530