1000kV/500kV同桿混壓四回輸電線路電磁環(huán)境影響因素及優(yōu)化措施分析
發(fā)布時(shí)間:2021-02-17 07:21
針對(duì)1 000 kV/500 kV同桿混壓四回輸電線路的電磁環(huán)境問題,采用有限元法分析了線路下工頻電場(chǎng)的特征及主要影響因素,研究了電場(chǎng)環(huán)境的優(yōu)化方案以及屏蔽線位置與屏蔽效果的關(guān)系;對(duì)于多目標(biāo)區(qū)域的電場(chǎng)環(huán)境優(yōu)化,可采用層次分析法確定每個(gè)區(qū)域在優(yōu)化過程中所占權(quán)重,進(jìn)而找到最優(yōu)值的屏蔽線位置。結(jié)果表明:屏蔽線架設(shè)在電場(chǎng)強(qiáng)度峰值附近時(shí)屏蔽效果最好(算例中電場(chǎng)強(qiáng)度峰值下降率最高為26.7%);對(duì)于規(guī)劃中的或者已經(jīng)建成的輸變電線路,若下方存在一些電磁環(huán)境指標(biāo)超標(biāo)區(qū)域或者對(duì)電磁環(huán)境要求很高的區(qū)域,選擇合適的屏蔽線位置可以以較低成本實(shí)現(xiàn)目標(biāo)點(diǎn)以及目標(biāo)區(qū)域的最優(yōu)屏蔽;一般在電場(chǎng)強(qiáng)度峰值和目標(biāo)區(qū)域之間架設(shè)一根屏蔽線可以有效屏蔽目標(biāo)區(qū)域電場(chǎng)強(qiáng)度,算例中區(qū)域電場(chǎng)強(qiáng)度平均值下降率最高為34%。
【文章來源】:高電壓技術(shù). 2015,41(11)北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:9 頁(yè)
【部分圖文】:
四回輸電線路相岸排列方式
3644高電壓技術(shù)2015,41(11)圖2垂直–三角布線電磁感應(yīng)強(qiáng)度Fig.2Electromagneticfieldintensityofvertical-trianglewiring度最大。且對(duì)于3種布線方式,提高導(dǎo)線的高度均能大幅抑制地面附近的電磁場(chǎng);此外,相關(guān)研究表明增大相間距離、增設(shè)架空地線等措施對(duì)地面附近電場(chǎng)強(qiáng)度的抑制作用相對(duì)較弱。對(duì)于1000kV/500kV同桿混壓四回輸電線路,當(dāng)最低相線高度為10m時(shí),距離地面1.5m高處的磁感應(yīng)強(qiáng)度最大值為38.06μT,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于0.1mT的標(biāo)準(zhǔn),符合國(guó)家的標(biāo)準(zhǔn)要求。2屏蔽線屏蔽效果優(yōu)化分析對(duì)于已經(jīng)建設(shè)好的輸電線路,輸電線原有的結(jié)構(gòu)都不易變動(dòng),若需要對(duì)特定區(qū)域(如學(xué)校、醫(yī)院等公共區(qū)域)的電磁場(chǎng)進(jìn)行抑制,使其降到更低的水平,可以采用架設(shè)屏蔽線的措施[12-15]。輸電線路以垂直–三角布線方式為例進(jìn)行分析。令H=11m,屏蔽線架設(shè)方式如圖5所示,其圖3垂直–垂直布線電磁感應(yīng)強(qiáng)度Fig.3Electromagneticfieldintensityofvertical-verticalwiring中Lh為屏蔽線距地高度,Ld為屏蔽線距線路中心的距離。在Ld=17m處(僅考慮D在0~100m之間區(qū)域)架設(shè)屏蔽線[16-17],取Lh=4、8m,則電磁場(chǎng)強(qiáng)度分布如圖6所示,圖6(a)為屏蔽線作用下的電場(chǎng)強(qiáng)度分布,圖6(b)為屏蔽線作用下的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布。由圖6(a)可知,僅考慮D在0~100m區(qū)域,無(wú)屏蔽線時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值為12.614kV/m,Lh=4m時(shí)的電場(chǎng)強(qiáng)度峰值為11.1633kV/m,Lh=8m時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值為10.6214kV/m;可以看出,屏蔽線對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值的削弱作用十分顯著,而屏蔽線不同高度之間區(qū)別較校需要說明的是,屏蔽線的存在會(huì)抬高另一側(cè)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值,但這一效果并不顯著。由圖6(b)可知,無(wú)屏蔽線時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度峰值為31.49μT,Lh=4m時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度峰值為31.48μT,Lh=
增設(shè)架空地線等措施對(duì)地面附近電場(chǎng)強(qiáng)度的抑制作用相對(duì)較弱。對(duì)于1000kV/500kV同桿混壓四回輸電線路,當(dāng)最低相線高度為10m時(shí),距離地面1.5m高處的磁感應(yīng)強(qiáng)度最大值為38.06μT,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于0.1mT的標(biāo)準(zhǔn),符合國(guó)家的標(biāo)準(zhǔn)要求。2屏蔽線屏蔽效果優(yōu)化分析對(duì)于已經(jīng)建設(shè)好的輸電線路,輸電線原有的結(jié)構(gòu)都不易變動(dòng),若需要對(duì)特定區(qū)域(如學(xué)校、醫(yī)院等公共區(qū)域)的電磁場(chǎng)進(jìn)行抑制,使其降到更低的水平,可以采用架設(shè)屏蔽線的措施[12-15]。輸電線路以垂直–三角布線方式為例進(jìn)行分析。令H=11m,屏蔽線架設(shè)方式如圖5所示,其圖3垂直–垂直布線電磁感應(yīng)強(qiáng)度Fig.3Electromagneticfieldintensityofvertical-verticalwiring中Lh為屏蔽線距地高度,Ld為屏蔽線距線路中心的距離。在Ld=17m處(僅考慮D在0~100m之間區(qū)域)架設(shè)屏蔽線[16-17],取Lh=4、8m,則電磁場(chǎng)強(qiáng)度分布如圖6所示,圖6(a)為屏蔽線作用下的電場(chǎng)強(qiáng)度分布,圖6(b)為屏蔽線作用下的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布。由圖6(a)可知,僅考慮D在0~100m區(qū)域,無(wú)屏蔽線時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值為12.614kV/m,Lh=4m時(shí)的電場(chǎng)強(qiáng)度峰值為11.1633kV/m,Lh=8m時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值為10.6214kV/m;可以看出,屏蔽線對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值的削弱作用十分顯著,而屏蔽線不同高度之間區(qū)別較校需要說明的是,屏蔽線的存在會(huì)抬高另一側(cè)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值,但這一效果并不顯著。由圖6(b)可知,無(wú)屏蔽線時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度峰值為31.49μT,Lh=4m時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度峰值為31.48μT,Lh=8m時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度峰值為31.48μT;可以看出,屏蔽線
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]交、直流共用超/特高壓輸電走廊下地面工頻電場(chǎng)及最優(yōu)相序排列方式分析[J]. 朱軍,吳廣寧,石超群,曹曉斌. 高電壓技術(shù). 2014(09)
[2]采用改進(jìn)層次分析法綜合評(píng)估 500 kV 輸電線路防雷改造效果[J]. 段若晨,王豐華,顧承昱,滿玉巖,傅正財(cái),劉亞東. 高電壓技術(shù). 2014(01)
[3]HVAC輸電線路損耗和空間電場(chǎng)的改進(jìn)計(jì)算方法(英文)[J]. 杜志業(yè),阮江軍,金碩,黃國(guó)棟,朱琳. 高電壓技術(shù). 2013(10)
[4]1000kV與500kV交流同塔輸電線路的電暈損耗仿真及試驗(yàn)分析[J]. 謝雄杰,劉琴,霍鋒,朱雷,劉云鵬,周國(guó)楊. 高電壓技術(shù). 2013(03)
[5]層次分析法權(quán)重計(jì)算方法分析及其應(yīng)用研究[J]. 鄧雪,李家銘,曾浩健,陳俊羊,趙俊峰. 數(shù)學(xué)的實(shí)踐與認(rèn)識(shí). 2012(07)
[6]基于層次分析法的配電網(wǎng)運(yùn)行方式多目標(biāo)優(yōu)化[J]. 翁嘉明,劉東,何維國(guó),楊濱,黃玉輝. 電力系統(tǒng)自動(dòng)化. 2012(04)
[7]220kV輸電線路近區(qū)建筑物工頻電場(chǎng)抑制措施[J]. 劉剛,許彬,季嚴(yán)飛,高云鵬,謝湘昭,曾能先. 高電壓技術(shù). 2011(12)
[8]輸電線路工頻電場(chǎng)分布特性與計(jì)算方法辨析[J]. 張廣洲,朱銀軍,張業(yè)茂,陳豫朝,周文俊. 高電壓技術(shù). 2011(10)
[9]特高壓交流線路鄰近建筑物時(shí)畸變電場(chǎng)的研究[J]. 葉青,文遠(yuǎn)芳,黃韜,張廣洲,劉興發(fā). 高壓電器. 2011(05)
[10]500kV超高壓輸電線路電磁環(huán)境影響因素分析及其防護(hù)對(duì)策[J]. 王廣周,張嵩陽(yáng),閆東,韓金華,姚德貴. 高壓電器. 2010(08)
碩士論文
[1]高壓輸電線路電磁環(huán)境研究[D]. 蔣戰(zhàn)朋.華中科技大學(xué) 2012
[2]500kV輸變電系統(tǒng)工頻電場(chǎng)的研究[D]. 何健.重慶大學(xué) 2009
[3]超高壓輸電線路電磁場(chǎng)的仿真研究[D]. 封滟?gòu)?重慶大學(xué) 2004
[4]超高壓輸電線路電磁場(chǎng)數(shù)值仿真研究[D]. 劉林.重慶大學(xué) 2002
本文編號(hào):3037648
【文章來源】:高電壓技術(shù). 2015,41(11)北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:9 頁(yè)
【部分圖文】:
四回輸電線路相岸排列方式
3644高電壓技術(shù)2015,41(11)圖2垂直–三角布線電磁感應(yīng)強(qiáng)度Fig.2Electromagneticfieldintensityofvertical-trianglewiring度最大。且對(duì)于3種布線方式,提高導(dǎo)線的高度均能大幅抑制地面附近的電磁場(chǎng);此外,相關(guān)研究表明增大相間距離、增設(shè)架空地線等措施對(duì)地面附近電場(chǎng)強(qiáng)度的抑制作用相對(duì)較弱。對(duì)于1000kV/500kV同桿混壓四回輸電線路,當(dāng)最低相線高度為10m時(shí),距離地面1.5m高處的磁感應(yīng)強(qiáng)度最大值為38.06μT,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于0.1mT的標(biāo)準(zhǔn),符合國(guó)家的標(biāo)準(zhǔn)要求。2屏蔽線屏蔽效果優(yōu)化分析對(duì)于已經(jīng)建設(shè)好的輸電線路,輸電線原有的結(jié)構(gòu)都不易變動(dòng),若需要對(duì)特定區(qū)域(如學(xué)校、醫(yī)院等公共區(qū)域)的電磁場(chǎng)進(jìn)行抑制,使其降到更低的水平,可以采用架設(shè)屏蔽線的措施[12-15]。輸電線路以垂直–三角布線方式為例進(jìn)行分析。令H=11m,屏蔽線架設(shè)方式如圖5所示,其圖3垂直–垂直布線電磁感應(yīng)強(qiáng)度Fig.3Electromagneticfieldintensityofvertical-verticalwiring中Lh為屏蔽線距地高度,Ld為屏蔽線距線路中心的距離。在Ld=17m處(僅考慮D在0~100m之間區(qū)域)架設(shè)屏蔽線[16-17],取Lh=4、8m,則電磁場(chǎng)強(qiáng)度分布如圖6所示,圖6(a)為屏蔽線作用下的電場(chǎng)強(qiáng)度分布,圖6(b)為屏蔽線作用下的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布。由圖6(a)可知,僅考慮D在0~100m區(qū)域,無(wú)屏蔽線時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值為12.614kV/m,Lh=4m時(shí)的電場(chǎng)強(qiáng)度峰值為11.1633kV/m,Lh=8m時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值為10.6214kV/m;可以看出,屏蔽線對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值的削弱作用十分顯著,而屏蔽線不同高度之間區(qū)別較校需要說明的是,屏蔽線的存在會(huì)抬高另一側(cè)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值,但這一效果并不顯著。由圖6(b)可知,無(wú)屏蔽線時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度峰值為31.49μT,Lh=4m時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度峰值為31.48μT,Lh=
增設(shè)架空地線等措施對(duì)地面附近電場(chǎng)強(qiáng)度的抑制作用相對(duì)較弱。對(duì)于1000kV/500kV同桿混壓四回輸電線路,當(dāng)最低相線高度為10m時(shí),距離地面1.5m高處的磁感應(yīng)強(qiáng)度最大值為38.06μT,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于0.1mT的標(biāo)準(zhǔn),符合國(guó)家的標(biāo)準(zhǔn)要求。2屏蔽線屏蔽效果優(yōu)化分析對(duì)于已經(jīng)建設(shè)好的輸電線路,輸電線原有的結(jié)構(gòu)都不易變動(dòng),若需要對(duì)特定區(qū)域(如學(xué)校、醫(yī)院等公共區(qū)域)的電磁場(chǎng)進(jìn)行抑制,使其降到更低的水平,可以采用架設(shè)屏蔽線的措施[12-15]。輸電線路以垂直–三角布線方式為例進(jìn)行分析。令H=11m,屏蔽線架設(shè)方式如圖5所示,其圖3垂直–垂直布線電磁感應(yīng)強(qiáng)度Fig.3Electromagneticfieldintensityofvertical-verticalwiring中Lh為屏蔽線距地高度,Ld為屏蔽線距線路中心的距離。在Ld=17m處(僅考慮D在0~100m之間區(qū)域)架設(shè)屏蔽線[16-17],取Lh=4、8m,則電磁場(chǎng)強(qiáng)度分布如圖6所示,圖6(a)為屏蔽線作用下的電場(chǎng)強(qiáng)度分布,圖6(b)為屏蔽線作用下的磁感應(yīng)強(qiáng)度分布。由圖6(a)可知,僅考慮D在0~100m區(qū)域,無(wú)屏蔽線時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值為12.614kV/m,Lh=4m時(shí)的電場(chǎng)強(qiáng)度峰值為11.1633kV/m,Lh=8m時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值為10.6214kV/m;可以看出,屏蔽線對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值的削弱作用十分顯著,而屏蔽線不同高度之間區(qū)別較校需要說明的是,屏蔽線的存在會(huì)抬高另一側(cè)電場(chǎng)強(qiáng)度峰值,但這一效果并不顯著。由圖6(b)可知,無(wú)屏蔽線時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度峰值為31.49μT,Lh=4m時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度峰值為31.48μT,Lh=8m時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度峰值為31.48μT;可以看出,屏蔽線
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]交、直流共用超/特高壓輸電走廊下地面工頻電場(chǎng)及最優(yōu)相序排列方式分析[J]. 朱軍,吳廣寧,石超群,曹曉斌. 高電壓技術(shù). 2014(09)
[2]采用改進(jìn)層次分析法綜合評(píng)估 500 kV 輸電線路防雷改造效果[J]. 段若晨,王豐華,顧承昱,滿玉巖,傅正財(cái),劉亞東. 高電壓技術(shù). 2014(01)
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[4]1000kV與500kV交流同塔輸電線路的電暈損耗仿真及試驗(yàn)分析[J]. 謝雄杰,劉琴,霍鋒,朱雷,劉云鵬,周國(guó)楊. 高電壓技術(shù). 2013(03)
[5]層次分析法權(quán)重計(jì)算方法分析及其應(yīng)用研究[J]. 鄧雪,李家銘,曾浩健,陳俊羊,趙俊峰. 數(shù)學(xué)的實(shí)踐與認(rèn)識(shí). 2012(07)
[6]基于層次分析法的配電網(wǎng)運(yùn)行方式多目標(biāo)優(yōu)化[J]. 翁嘉明,劉東,何維國(guó),楊濱,黃玉輝. 電力系統(tǒng)自動(dòng)化. 2012(04)
[7]220kV輸電線路近區(qū)建筑物工頻電場(chǎng)抑制措施[J]. 劉剛,許彬,季嚴(yán)飛,高云鵬,謝湘昭,曾能先. 高電壓技術(shù). 2011(12)
[8]輸電線路工頻電場(chǎng)分布特性與計(jì)算方法辨析[J]. 張廣洲,朱銀軍,張業(yè)茂,陳豫朝,周文俊. 高電壓技術(shù). 2011(10)
[9]特高壓交流線路鄰近建筑物時(shí)畸變電場(chǎng)的研究[J]. 葉青,文遠(yuǎn)芳,黃韜,張廣洲,劉興發(fā). 高壓電器. 2011(05)
[10]500kV超高壓輸電線路電磁環(huán)境影響因素分析及其防護(hù)對(duì)策[J]. 王廣周,張嵩陽(yáng),閆東,韓金華,姚德貴. 高壓電器. 2010(08)
碩士論文
[1]高壓輸電線路電磁環(huán)境研究[D]. 蔣戰(zhàn)朋.華中科技大學(xué) 2012
[2]500kV輸變電系統(tǒng)工頻電場(chǎng)的研究[D]. 何健.重慶大學(xué) 2009
[3]超高壓輸電線路電磁場(chǎng)的仿真研究[D]. 封滟?gòu)?重慶大學(xué) 2004
[4]超高壓輸電線路電磁場(chǎng)數(shù)值仿真研究[D]. 劉林.重慶大學(xué) 2002
本文編號(hào):3037648
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