隨著電力系統(tǒng)容量的增加,電力設(shè)備承受的外加電場也相應(yīng)提高。在電力設(shè)備的制造和運(yùn)行過程中不可避免會(huì)出現(xiàn)絕緣缺陷,在這些缺陷部位會(huì)首先發(fā)生局部放電,局部放電進(jìn)一步擴(kuò)大會(huì)導(dǎo)致電力設(shè)備的故障,從而給電力系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運(yùn)行帶來嚴(yán)重威脅。因此對(duì)局部放電進(jìn)行檢測并正確識(shí)別放電類型對(duì)電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行具有非常重要的意義。在對(duì)課題的背景和意義進(jìn)行研究后,本文深入學(xué)習(xí)了局部放電的發(fā)生機(jī)理及檢測方法,并通過對(duì)單氣隙絕緣缺陷的MATLAB/Simulink仿真分析對(duì)局部放電過程有了更加深入的理解。本文主要從局部放電試驗(yàn)、放電數(shù)據(jù)的采集與處理以及放電類型的模式識(shí)別三方面進(jìn)行展開。在局部放電試驗(yàn)部分中,通過對(duì)電力設(shè)備中常見的四種典型絕緣缺陷類型進(jìn)行試樣模型的設(shè)計(jì)與制作,選用脈沖電流法對(duì)局部放電進(jìn)行檢測,在檢測阻抗設(shè)計(jì)部分,利用ATPDraw進(jìn)行仿真以確定檢測阻抗的參數(shù)。根據(jù)局部放電檢測的脈沖電流法基本回路,在實(shí)驗(yàn)室中搭建了局部放電試驗(yàn)系統(tǒng),對(duì)絕緣缺陷試樣進(jìn)行放電試驗(yàn)與檢測。在放電數(shù)據(jù)的采集與處理部分中,本文研制了一套基于LabVIEW軟件的數(shù)據(jù)采集與處理系統(tǒng)。該系統(tǒng)主要包括系統(tǒng)配置、數(shù)據(jù)的采集與保存、數(shù)據(jù)的查看與... 

【文章來源】：西安工程大學(xué)陜西省

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

單氣隙局部放電的Simulink仿真電路

設(shè)定放電前氣隙體積電阻g1R 和氣隙表面生后其所對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)電化電阻1'gR 和2'gR 的 1/225.2 12iBE pap =1.304i lU U被稱為輸入單元，其作用是獲得局部放電發(fā)生及諧波低頻信號(hào)。檢測阻抗是放電測量電路中影響到放電檢測的靈敏度，因此對(duì)檢測阻抗參抗既可以是電阻 R 或電感 L 單獨(dú)構(gòu)成的元件合而成的 RC 電路、RL 電路或者 RLC 調(diào)諧回適的檢測阻抗參數(shù)，本文使用電力電子仿真模 RC 型檢測阻抗，由dR 和dC 組成�；芈分械亩说碾妷�，仿真電路圖如圖 2-7 所示。

響到放電檢測的靈敏度，因此對(duì)檢測阻抗參既可以是電阻 R 或電感 L 單獨(dú)構(gòu)成的元件而成的 RC 電路、RL 電路或者 RLC 調(diào)諧回的檢測阻抗參數(shù)，本文使用電力電子仿真模C 型檢測阻抗，由dR 和dC 組成�；芈分械牡碾妷�，仿真電路圖如圖 2-7 所示。圖 2-7 ATPDraw 的仿真電路圖路中，電流源用來模擬局部放電發(fā)生時(shí)產(chǎn)生 5pC，電流源的波形如圖 2-8 所示，流經(jīng)檢電壓。

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：2988867