GIS絕緣子內(nèi)部縫隙是一種較為常見的絕緣缺陷。但對其產(chǎn)生局部放電的特性和機(jī)理的研究大多基于實(shí)驗(yàn)室模擬缺陷,較少有以實(shí)際絕緣子上的縫隙為對象展開的研究,因而得到的結(jié)果也不可避免地與現(xiàn)場的實(shí)際情況存在一定的偏差。文中以一個包含內(nèi)部縫隙的GIS支柱絕緣子為對象,研究了其在短時間和長時間高壓作用下的局部放電特性,并使用介質(zhì)阻擋放電模型解釋了其產(chǎn)生局部放電的機(jī)理和過程。將理論分析推理得到的放電特性與實(shí)測放電特性進(jìn)行了比較,證明了理論分析過程的正確性;并合理地解釋了該放電不易被特高頻方法所檢測的原因。文中的研究內(nèi)容對于絕緣子制造工藝的改進(jìn),以及絕緣子內(nèi)部縫隙的出廠試驗(yàn)和現(xiàn)場檢測方法的選擇具有重要的參考意義。 

【文章來源】：高壓電器. 2020,56(07)北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

用于絕緣子內(nèi)部氣隙局部放電測量的實(shí)驗(yàn)裝置

實(shí)驗(yàn)所選用的試品為含內(nèi)部縫隙的實(shí)際GIS支柱絕緣子，其高精度斷層掃描圖像見圖2。從圖2中可見，缺陷位于絕緣材料與下方金屬嵌件的交界面上，呈扁平的圓形，在圖2中表現(xiàn)為黑色的陰影部分，圖2(b)、(c)所示的橫截面圖像中也可以清楚地觀察到正常銜接和存在裂縫時的差異。裂縫的直徑約為50 mm，最厚處的厚度約為0.3 mm，小于大多數(shù)X射線探傷設(shè)備和斷層掃描設(shè)備的最小分辨尺寸，因而通過可視化方法發(fā)現(xiàn)缺陷的難度較大，這也是實(shí)際絕緣子內(nèi)部縫隙報(bào)道較少的原因之一。2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

以10 kV/s的速度將外施電壓升至絕緣子的標(biāo)準(zhǔn)工作電壓127 kV，并維持在該電壓下。使用脈沖激勵法記錄該電壓下絕緣子的局部放電信號，其中一次典型的放電波形見圖3。從脈沖幅值上看，絕緣子試品支路上的脈沖電流幅值最大，其次為耦合電容支路，對照絕緣子支路上的脈沖電流幅值最小；從脈沖方向上來看，對照絕緣子支路和耦合電容支路上的電流脈沖方向相同，而與絕緣子試品支路上的脈沖方向相反。以上兩點(diǎn)符合絕緣子試品產(chǎn)生局部放電時各支路上的脈沖電流大小和方向規(guī)律，故可以確定該信號由絕緣子試品上的缺陷放電產(chǎn)生。此外，從圖3可見該絕緣子產(chǎn)生的局部放電幾乎無法被特高頻方法所檢測，在特高頻通道上基本只能看到背景噪聲。從脈沖電流波形來看，脈沖的上升之間大約在0.5 ms量級，其包含的頻率分量在數(shù)兆赫茲以下，這可能是其無法被特高頻傳感器所捕獲的重要原因。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：2972190