采用傳統(tǒng)固相反應(yīng)法制備N(xiāo)iZn鐵氧體,用球磨后的納米NiZn鐵氧體對(duì)FeSiCr磁粉進(jìn)行包覆,經(jīng)過(guò)成型及退火制備了FeSiCr復(fù)合磁粉芯。研究了納米NiZn鐵氧體包覆對(duì)FeSiCr磁粉芯的電阻率、有效磁導(dǎo)率及功率損耗等影響。結(jié)果表明,隨著納米NiZn鐵氧體起始磁導(dǎo)率增大,復(fù)合磁粉芯的有效磁導(dǎo)率、品質(zhì)因數(shù)增大,功率損耗逐漸減小。采用起始磁導(dǎo)率為1800的納米NiZn鐵氧體包覆制備的復(fù)合磁粉芯有效磁導(dǎo)率達(dá)到56,電阻率高達(dá)1.68k?×m,飽和磁化強(qiáng)度μ₀M_s高達(dá)1.4 T,在25℃、3 MHz、10 mT下的功率損耗僅為465 mW/cm³,經(jīng)損耗分離后的渦流損耗為233 mW/cm³,磁滯損耗為121 mW/cm³。 

【文章來(lái)源】：磁性材料及器件. 2020年06期

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

FeSiCr磁粉包覆前后SEM照片：(a)包覆前，(b)包覆后

圖2給出了包覆4 wt%磁導(dǎo)率為1800的納米NiZn鐵氧體后Fe Si Cr磁粉芯的XRD譜，在復(fù)合磁粉芯的XRD譜中出現(xiàn)尖晶石相(220)、(311)、(006)、(400)、(511)、(440)、(533)等晶面的衍射峰。Fe Si Cr磁粉對(duì)應(yīng)Cr Fe8Si晶體的(110)、(220)衍射晶面。由于復(fù)合磁粉芯是在空氣中退火，所以復(fù)合磁粉芯中的鐵被氧化，在XRD譜中出現(xiàn)了Fe2O3的(104)、(113)、(024)、(116)等衍射晶面。3.2 密度、電阻率及飽和磁化強(qiáng)度

從表1中可以看出，采用納米NiZn鐵氧體包覆后的復(fù)合磁粉芯電阻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于未包覆的Fe Si Cr磁粉芯，根據(jù)Koops[8]提出的磚墻模型理論，將整個(gè)鐵氧體材料視為晶粒與晶界串聯(lián)而成的等效電路，在復(fù)合磁粉芯中可以將Fe Si Cr磁粉和NiZn鐵氧體包覆層看為串聯(lián)等效電路。NiZn鐵氧體的電阻率可高達(dá)106?·m[9]，包覆納米NiZn鐵氧體后，在Fe Si Cr磁粉顆粒間形成一層薄而且均勻的高電阻率包覆層，避免了Fe Si Cr磁粉的直接接觸，從而大大增加了復(fù)合磁粉芯的電阻率。圖3給出了不同納米NiZn鐵氧體包覆后復(fù)合磁粉芯以及Fe Si Cr磁粉的磁滯回線，對(duì)應(yīng)的飽和磁化強(qiáng)度和磁滯回線面積如表2所示，采用納米NiZn鐵氧體包覆后的磁粉芯相較于Fe Si Cr磁粉的飽和磁化強(qiáng)度Ms有所下降。隨著包覆劑納米NiZn鐵氧體磁感應(yīng)強(qiáng)度的減小，復(fù)合磁粉芯的飽和磁化強(qiáng)度?0Ms由1.49 T減小到1.40 T。隨著飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度的減小，復(fù)合磁粉芯單位質(zhì)量中包含的磁矩減小，在相同包覆量和成型壓力下，復(fù)合磁粉芯的密度相差不大，所以復(fù)合磁粉芯的飽和磁化強(qiáng)度逐漸減小。

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：2914310