鍺量子點(diǎn)（Ge QDs）和硅納米線（SiNWs）作為半導(dǎo)體納米材料,具有優(yōu)異的光電特性。Ge QDs具有獨(dú)特的近紅外吸收特性,SiNWs具有較好的減反射特性,將它們應(yīng)用于光伏電池中,可以極大的拓寬光譜的吸收范圍,減少光的反射,提升光伏電池的轉(zhuǎn)換效率。本文采用磁控濺射技術(shù),實(shí)現(xiàn)了C誘導(dǎo)高密度Ge/Si量子點(diǎn)的生長(zhǎng)。采用金屬輔助化學(xué)刻蝕法（MACE）,在n型硅襯底上制備了一系列的SiNWs陣列。通過磁控濺射方式制備了歐姆接觸的Ag電極,并組裝了硅基納米材料（Ge QDs/Si、SiNWs）與有機(jī)材料PEDOT:PSS相結(jié)合的光伏電池,主要進(jìn)行的工作如下:1.采用直流磁控濺射技術(shù)制備高密度的Ge QDs,通過調(diào)節(jié)Ge層生長(zhǎng)溫度和厚度,探究Ge QDs的密度、尺寸及結(jié)晶性的變化規(guī)律。實(shí)驗(yàn)過程中,預(yù)先沉積C誘導(dǎo)層可以增加Ge QDs形核中心的數(shù)目,降低SiGe浸潤(rùn)層的厚度。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:隨著生長(zhǎng)溫度的升高,Ge QDs的密度和結(jié)晶性均先增大后減小,在650℃時(shí)達(dá)到最優(yōu)值,其密度高達(dá)1.01×10¹¹ cm^-2、結(jié)晶分?jǐn)?shù)為83.7%。當(dāng)Ge層沉積厚度在1... 

【文章來源】：云南大學(xué)云南省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：76 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

金屬輔助化學(xué)刻蝕法制備硅納米線的反應(yīng)原理圖

（a）嵌入Ge量子點(diǎn)的薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖；（b）Ge量子點(diǎn)AFM圖

（a）Ge量子點(diǎn)與硅納米線復(fù)合材料的制備流程示意圖；（b）Ge量子點(diǎn)與硅納米線

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]離子束共濺射SiGe納米島的演變行為及二次生長(zhǎng)機(jī)制研究[D]. 柯少穎.云南大學(xué) 2015



本文編號(hào)：2909256