【摘要】：先選擇增透膜、Ag底面反射鏡和三角帶型一維光子晶體結(jié)構(gòu)作為超薄晶硅電池(有源層厚度為12μm)的陷光結(jié)構(gòu),然后利用有限差分頻域法對這一陷光結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化,最后通過吸收光譜和光電流密度譜對優(yōu)化的陷光結(jié)構(gòu)性能進行了評估。計算表明:在300 nm，

本文編號：2620266