發(fā)布時(shí)間：2020-02-20 17:48

【摘要】：氧化銦錫(ITO)同時(shí)結(jié)合了可見(jiàn)光范圍內(nèi)高透過(guò)率和高電導(dǎo)率等特性,被廣泛應(yīng)用于Si基薄膜太陽(yáng)電池中。本文側(cè)重研究了采用反應(yīng)熱蒸發(fā)(RTE)技術(shù)低溫(約160℃)生長(zhǎng)ITO透明導(dǎo)電薄膜過(guò)程中不同Sn摻雜含量對(duì)薄膜微觀結(jié)構(gòu)以及光電性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,隨著Sn摻雜含量的增加,ITO薄膜微觀結(jié)構(gòu)稍有變化,薄膜的電子遷移率呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì),薄膜的光學(xué)帶隙一定程度上呈現(xiàn)展寬趨勢(shì);對(duì)于較高的Sn摻雜含量,在低溫條件下電離雜質(zhì)散射和中性雜質(zhì)散射成為影響電子遷移率降低的重要因素。經(jīng)過(guò)薄膜生長(zhǎng)優(yōu)化,較佳的Sn摻雜含量為6.0wt.%,ITO薄膜電阻率為3.74×10-4Ω·cm,電子遷移率為47cm2/Vs,載流子濃度為3.71×1020cm-3,且在380~900nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的平均透過(guò)率約87%。將其應(yīng)用于結(jié)構(gòu)為SS/Ag/ZnO/nip aSiGe:H/nipa-Si:H/ITO/Al的n-i-p型a-Si:H/a-SiGe:H疊層太陽(yáng)電池,取得的光電轉(zhuǎn)化效率達(dá)10.51%(開(kāi)路電壓Voc=1.66V,短路電流密度Jsc=9.31mA/cm2,填充因子FF=0.68)。

【參考文獻(xiàn)】

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