氧氮化欽納米管陣列的制備及用于超級(jí)電容器的研究
【圖文】:
解質(zhì)則在內(nèi)Helmholtz面以外。穿過這些離子中心的是外Helmholtz面。夕卜逡逑Helmholtz面以外的區(qū)域被稱為擴(kuò)散層。在這樣的固液界面上可以儲(chǔ)存異種電荷,逡逑從而達(dá)到電能儲(chǔ)存的目的。BDM模型是現(xiàn)今最常用的模型,如圖1.1所示。逡逑12邐3逡逑圖1-1電化學(xué)雙電層BDM模型。1.內(nèi)Helmholtz面,2.外Helmholtz面,,3.?dāng)U散層,4.溶劑逡逑化離子,5.特性吸附離子,6.溶劑分子。逡逑Figure邋1-1邋BMD邋model邋of邋the邋electrochemical邋double邋layer.邋1.邋Inner邋Helmholtz邋plane,邋2.邋Outer逡逑Helmholtz邋plane,邋3.邋Diffuse邋layer,邋4.邋Solvated邋ions,邋5.邋Specifically邋adsorbed邋ions,邋6.邋Molecules邋of逡逑the邋electrolyte邋solvent.逡逑Trasatti/Buzzanca邋模型:在邋1971邋年邋Sergio邋Trasatti邋和邋Giovanni邋Buzzanca邋更逡逑多的關(guān)于Ru02的雙電層的研究表明在低電壓時(shí)這些帶有特性吸附的離子的電極逡逑的電化學(xué)行為很像電容器。這個(gè)區(qū)域內(nèi)的特性吸附離子會(huì)牽涉離子和電極之間的逡逑部分電荷轉(zhuǎn)移,這是走向贗電容的第一步。逡逑1.2.2電化學(xué)電容器按電能儲(chǔ)存原理的分類逡逑在平行板電容器模型中,電容量的值:逡逑sA逡逑C邋=邋T邐(1-1)逡逑其中s是電介質(zhì)的介電常數(shù),A是平板的面積,而d是兩個(gè)平行板間隔的距離。逡逑如果可以得到很大的面積A和很小的間隔d
非水電解質(zhì)比水電解質(zhì)具有更高的分解電壓,可儲(chǔ)存的總電能與充電后可達(dá)到的逡逑電壓的平方成正比,這樣的系統(tǒng)可以提供更高的工作電壓(3.4-4.0邋V)從而可逡逑以達(dá)到更高的能量儲(chǔ)存密度。一個(gè)典型的電化學(xué)雙電層電容器的示意圖如圖1-2逡逑所示。逡逑電解液邐集流體逡逑H邋m逡逑邐邐逡逑fwW逡逑隔膜多孔活性材料逡逑圖1-2電化學(xué)雙電層電容逡逑Figure邋1-2邋Electrochemical邋double邋layer邋capacitor逡逑B.邋E.邋Conway在Ru02型電化學(xué)電容方面開展了進(jìn)一步的基礎(chǔ)研究工作,他逡逑所說的電化學(xué)電容儲(chǔ)存電荷部分靠Helmholtz雙電層,部分靠電子和離子在電極逡逑電解液之間的轉(zhuǎn)移的法拉第反應(yīng),并在1975年至1981年利用新的原理發(fā)展了新逡逑的電能儲(chǔ)存器件,即一類被稱為“贗電容”的電容器。其原理是利用電化學(xué)吸附逡逑氧原子或單層電沉積一些賤金屬(Pb、Bi、Cu)于Pt或An上來實(shí)現(xiàn)電能儲(chǔ)存。逡逑在另一種體系中,贗電容依賴于固態(tài)氧化物的氧化還原,特別是發(fā)展了超過1.4邋V逡逑(實(shí)際應(yīng)用為1.2邋V)的在硫酸水溶液中的Ru02薄膜。這個(gè)系統(tǒng)幾乎達(dá)到了理想逡逑的電容行為,具有高度的充放電可逆性和超過105次的循環(huán)壽命。逡逑電化學(xué)電容器的電容量,由兩種電能儲(chǔ)存原理共同貢獻(xiàn):逡逑4逡逑
【學(xué)位授予單位】:南京大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2014
【分類號(hào)】:TB383.1;TM53
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