【摘要】：利用磁通控制的分段線性浮地型憶阻器,設(shè)計(jì)了一個(gè)新型四階憶阻器混沌電路。分析系統(tǒng)的基本動(dòng)力學(xué)行為,如平衡點(diǎn)穩(wěn)定性,李雅普諾夫指數(shù)和分岔圖。數(shù)值仿真結(jié)果表明電路可產(chǎn)生一類特殊的混沌吸引子,且隨系統(tǒng)參數(shù)的改變可產(chǎn)生豐富復(fù)雜的混沌行為。為驗(yàn)證電路的混沌行為,采用基本電路元件設(shè)計(jì)了一個(gè)浮地型憶阻器模擬等效電路,并對(duì)所提憶阻器混沌電路進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,結(jié)果與理論分析基本吻合。
【圖文】：

2124儀器儀表學(xué)報(bào)第35卷性動(dòng)力學(xué)行為，最后設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)該混沌系統(tǒng)的硬件電路，進(jìn)行相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。2電路設(shè)計(jì)利用磁通控制的浮地型憶阻器設(shè)計(jì)的一種新型憶阻器混沌電路如圖1所示，該電路的設(shè)計(jì)是采用一個(gè)非線性憶阻元件替換經(jīng)典蔡氏振蕩器中的ＲC非線性濾波部分中的線性電阻Ｒ，，同時(shí)去掉蔡氏振蕩電路中的非線性蔡氏二極管得到的，與以往電路不同的是在此電路中憶阻器的兩個(gè)端口都沒有接地，是一個(gè)浮地型憶阻器，同時(shí)憶阻器既充當(dāng)耦合電阻又作為一個(gè)非線性元件。在此采用的憶阻器模型是磁通控制的PWL模型，其電荷q與磁通鐖之間的關(guān)系可以表示為［13］:q(鐖)=b鐖+12(a－b)(|鐖+1|－|鐖－1|)(1)圖1浮地型憶阻器混沌電路Fig．1Afloatingmemristorbasedchaoticcircuit相應(yīng)憶阻器的憶導(dǎo)W(鐖)可表示為:W(鐖)=dq(鐖)d鐖=a，|鐖|＜1b，|鐖|＞{1(2)因此憶阻器兩端的電壓和流過憶阻器的電流之間的關(guān)系滿足:i=W(鐖)v(3)運(yùn)用基爾霍夫定律分析圖1的電路，可以得到如下方程組:

本文編號(hào)：2568549