【摘要】：利用磁通控制的分段線性浮地型憶阻器,設計了一個新型四階憶阻器混沌電路。分析系統(tǒng)的基本動力學行為,如平衡點穩(wěn)定性,李雅普諾夫指數(shù)和分岔圖。數(shù)值仿真結果表明電路可產(chǎn)生一類特殊的混沌吸引子,且隨系統(tǒng)參數(shù)的改變可產(chǎn)生豐富復雜的混沌行為。為驗證電路的混沌行為,采用基本電路元件設計了一個浮地型憶阻器模擬等效電路,并對所提憶阻器混沌電路進行了實驗驗證,結果與理論分析基本吻合。
【圖文】：

2124儀器儀表學報第35卷性動力學行為，最后設計實現(xiàn)該混沌系統(tǒng)的硬件電路，進行相應的實驗驗證。2電路設計利用磁通控制的浮地型憶阻器設計的一種新型憶阻器混沌電路如圖1所示，該電路的設計是采用一個非線性憶阻元件替換經(jīng)典蔡氏振蕩器中的ＲC非線性濾波部分中的線性電阻Ｒ，，同時去掉蔡氏振蕩電路中的非線性蔡氏二極管得到的，與以往電路不同的是在此電路中憶阻器的兩個端口都沒有接地，是一個浮地型憶阻器，同時憶阻器既充當耦合電阻又作為一個非線性元件。在此采用的憶阻器模型是磁通控制的PWL模型，其電荷q與磁通鐖之間的關系可以表示為［13］:q(鐖)=b鐖+12(a－b)(|鐖+1|－|鐖－1|)(1)圖1浮地型憶阻器混沌電路Fig．1Afloatingmemristorbasedchaoticcircuit相應憶阻器的憶導W(鐖)可表示為:W(鐖)=dq(鐖)d鐖=a，|鐖|＜1b，|鐖|＞{1(2)因此憶阻器兩端的電壓和流過憶阻器的電流之間的關系滿足:i=W(鐖)v(3)運用基爾霍夫定律分析圖1的電路，可以得到如下方程組:

本文編號：2568549