【摘要】：低壓降輸出（LowDropout，LDO）芯片以其成本低、噪音低、體積小、自身功耗低等優(yōu)勢，得到了越來越廣泛的應用。隨著智能手機、掌上電腦等相對高功耗的電子產品的迅猛發(fā)展，對LDO芯片的研究也日趨細致和深入。耐壓特性表征了LDO芯片承載外部電壓的能力，，如果外部電壓超出芯片的承受能力，就會造成芯片內部損傷。中芯國際生產的LDO芯片主要應用于智能手機，電源電壓通常在3.5V~4.2V，而最高波動可以達到4.8~5.5V。因此，耐壓能力低的芯片就會在測試過程中失效。本文研究耐壓特性優(yōu)化有助于提高芯片在成品測試中的耐受性，提升芯片良品率。 本論文首先分析電源管理芯片尤其是LDO芯片的發(fā)展和現狀，然后研究LDO的工作模式、電路原理和主要性能參數，并介紹集成電路制造的工藝流程。本論文的重點工作是研究和改善LDO芯片的耐壓特性。首先，使用微光顯微鏡和電子顯微鏡找出了兩個失效點，通過失效點位置和結構變化推導出失效機理；其次，通過聚焦離子束和器件模擬驗證了兩個失效點不同的失效模式，并分別確立優(yōu)化方案；最后，有針對性地對優(yōu)化方案進行可靠性測試，以評估該方案是否滿足可靠性標準。 通過本文的研究，LDO芯片的耐壓能力由初始的4.8V抬升到5.8V，完全能夠耐受測試過程中的電壓波動（4.8V~5.5V），從而避免了因測試而導致的芯片失效。本論文對于LDO芯片的設計和生產，都具有明確的參考價值；尤其對于縮短從產品研發(fā)到投入量產的周期，起到了積極的作用。
【學位授予單位】：天津大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2014
【分類號】：TM44

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本文編號：2559983