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H型級聯(lián)靜止同步補(bǔ)償器主電路及其控制策略研究

發(fā)布時間:2019-10-13 00:58
【摘要】:靜止同步補(bǔ)償器(STATCOM)具有綜合進(jìn)行無功補(bǔ)償、電壓穩(wěn)定、諧波抑制、三相平衡等的優(yōu)越性能,近年來成為全面改善電能質(zhì)量的重要設(shè)備。隨著高壓、超高壓電力系統(tǒng)的快速發(fā)展,對高壓大容量靜止同步補(bǔ)償器的需求也日趨旺盛,H-C STATCOM因輸出諧波含量低、器件利用率高、易于實(shí)現(xiàn)高壓大容量拓展而被備受關(guān)注。但是,H型級聯(lián)STATCOM(H-C STATCOM)是一個復(fù)雜的柔性交流輸電系統(tǒng)控制器,其主電路的設(shè)計方法、電流內(nèi)環(huán)解耦控制、外環(huán)無功功率控制、節(jié)點(diǎn)電壓的控制和電容電壓的平衡控制仍存在許多需要解決的問題。本文以H型級聯(lián)靜止同步補(bǔ)償器主電路及其控制策略為研究對象,首先分析了兩電平STATCOM的工作原理和數(shù)學(xué)模型,根據(jù)兩電平的原理推導(dǎo)出H-C STATCOM的數(shù)學(xué)模型,并通過開關(guān)函數(shù)法分析H-C STATCOM主電路的H橋模塊電平疊加原理及其級聯(lián)方式。在此基礎(chǔ)上,深入研究了H-C STATCOM輸出控制,針H型對級聯(lián)STATCOM的強(qiáng)耦合非線性系統(tǒng)特點(diǎn),探索了基于單神經(jīng)元的解耦控制策略、逆系統(tǒng)模型加PI功率外環(huán)控制方法和參數(shù)自整定模糊PI定PCC節(jié)點(diǎn)電壓控制技術(shù)。然后,針對H-C STATCOM直流側(cè)電容電壓不平衡問題,分析了H-C STATCOM直流側(cè)電容電壓不平衡的產(chǎn)生機(jī)理、影響因素,探討了抑制不平衡的分級控制方法,其基本思想是運(yùn)用正序電流控制實(shí)現(xiàn)H-C STATCOM,總體電壓控制,運(yùn)用負(fù)序電流實(shí)現(xiàn)各相變流器間直流電壓的平衡控制,通過調(diào)整HBI模塊輸出電壓幅值和相位差實(shí)現(xiàn)單個HBI模塊的電容電壓控制。最后,研究了H-C STATCOM的設(shè)計方法,并著重從級聯(lián)數(shù)、連接電感、直流電容的確定和電力電子器件的選擇以及連接電感、直流電容和開關(guān)頻率的影響因素等方面出發(fā),分析了H-C STATCOM設(shè)計的原則和過程,并進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn),給出了仿真結(jié)果。本文探索的H-C STATCOM主電路結(jié)構(gòu),為裝置的低諧波輸出提供了堅(jiān)實(shí)的物質(zhì)基礎(chǔ),探索的H-C STATCOM輸出控制,實(shí)現(xiàn)了在參數(shù)擾動情況下的完全解耦,解決了普通前饋解耦因不完全解耦造成的響應(yīng)速度慢、精度不高的缺陷,探討的H-C STATCOM直流側(cè)電容電壓不平衡控制方法,提高了H-C STATCOM的魯棒性和抗擾動能力,研究的H-C STATCOM設(shè)計方法為H-C STATCOM工程設(shè)計提供合理的技術(shù)路線。仿真結(jié)果進(jìn)一步驗(yàn)證了H型級聯(lián)靜止同步補(bǔ)償器主電路及其控制策略的正確性。
【圖文】:

參數(shù)自整定,接電,對比分析,常規(guī)


tm逡逑(b)邋H-C邋STATCOM邋輸出電流逡逑圖3.18邋H-C邋STATCOM裝置投入前后的電應(yīng)波形圖和輸出電流放形圖逡逑為驗(yàn)證參數(shù)自整定模糊PI控制的優(yōu)越性及其魯棒性,仿真條件與上述相同。將參逡逑數(shù)自整定模糊PI與常規(guī)的PI控制實(shí)現(xiàn)的PCC節(jié)點(diǎn)電皮控制作比較可知,采用參數(shù)自整逡逑定模糊PI控制時,PCC節(jié)點(diǎn)電壓的恢復(fù)能力比常規(guī)的PI控制強(qiáng),響應(yīng)速度快,魯棒性逡逑好。其兩種控制方法的對比圖如圖3.19所示。逡逑1.04邋I邐,邐,邐,邐,,邐邐邐邐邐1逡逑&邋

波形圖,并聯(lián)電阻,波形圖,電容


'/似逡逑圖4.2不同并聯(lián)電阻時各HBI輸出的電容電店波形圖逡逑從圖4.2可見,并聯(lián)電阻趟小,對電容電壓的平衡影響越大,但在實(shí)際情況中,并逡逑聯(lián)損耗很小,因此等效的并聯(lián)電阻比較大,對裝置的影響比較小。逡逑考慮混合損害即裝置開關(guān)損耗對電容電壓平衡影響時,取裝置10個HBI模塊的并逡逑聯(lián)損耗電阻為100E3a,脈沖延時4/=0,選取第1?7個HBI模塊的開關(guān)損耗系數(shù)為逡逑0.0009,第8個HBI模塊的的開關(guān)損耗系數(shù)為化0008,第9個為0.001,第十個為化0011。逡逑貝IJ邋STATCOM裝置A相變流器的電容電壓如圖4.3所示。逡逑1400邐'邐I邐'邐'邐'邐'邐'邐'逡逑"。。-邐開關(guān)損嚴(yán)橚耀邐開娜耗系橚.0009邐-逡逑^邐Q媯蕖桑裕五巍五義希靛寤澹掊危棵慷;;;:;;;^^:=二::Ud五危邋五五義稀鰣澹掊澹澹㈠濉逡誨澹㈠危А?辶x希福埃板慰廝鷙南凳荊埃埃保板危五五五危掊義希慰廝鷙南凳埃埃保卞危咤義希叮埃板澹坼危危,逦.逦,逦.

本文編號:2548373

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