【摘要】：針對已有的晶體硅太陽電池基區(qū)少數(shù)載流子的擴散長度測量模型和測試方法中存在的不足,建立利用光譜響應(yīng)研究硅太陽電池基區(qū)少數(shù)載流子的擴散長度的模型,該模型考慮了n+pp+型晶體硅太陽電池背面高低結(jié)勢壘的影響,對基區(qū)少數(shù)載流子擴散長度的測量模型進行修正。根據(jù)硅太陽電池在900~950 nm的長波光譜響應(yīng)測試結(jié)果,并利用該修正模型得到少數(shù)載流子在基區(qū)的擴散長度。所得結(jié)果與PC1 D模擬結(jié)果進行比較,兩者相近。
[Abstract]:In view of the shortcomings of the existing measurement models and methods for the diffusion length of minority carriers in the base region of silicon solar cells, a model is established to study the diffusion length of minority carriers in the base region of silicon solar cells by using spectral response. the model takes into account the influence of high and low junction barrier on the back of n pp crystal silicon solar cells, and modifies the measurement model of minority carrier diffusion length in the base region. According to the long wave spectral response of silicon solar cells at 900 脳 950 nm, the diffusion length of minority carriers in the base region is obtained by using the modified model. The results obtained are similar to those of PC1 D simulation.
【作者單位】： 云南師范大學(xué)太陽能研究所;教育部可再生能源材料先進技術(shù)與制備重點實驗室;云南省農(nóng)村能源工程重點實驗室;
【基金】：云南省科技計劃項目(2010ZC077) 云南省教育廳科學(xué)研究課題(2012Z012)
【分類號】：TM914.4

【共引文獻】

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本文編號：2523286