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硅太陽電池模型參數(shù)計算優(yōu)化方法

發(fā)布時間:2018-09-19 19:16
【摘要】:在進(jìn)行光伏發(fā)電系統(tǒng)的數(shù)字仿真、輸出功率預(yù)測、運行調(diào)度和優(yōu)化設(shè)計時,均需對太陽電池及陣列的電氣特性進(jìn)行精確建模。以硅太陽電池單二極管等效電路模型為基礎(chǔ),運用粒子群算法,提出一種計算模型五參數(shù)(Iph、Isat、Rs、Rsh、A)的優(yōu)化方法,并分析了輻照強度和溫度變化對模型參數(shù)的影響。該方法僅使用太陽電池生產(chǎn)廠商提供的在標(biāo)準(zhǔn)測試狀況下的4個電氣參數(shù)(Voc、Isc、Vm、Im),便可計算一般工況下的I-V特性曲線。在Matlab中建立仿真模型,仿真與實驗結(jié)果表明新模型對于I-V曲線的預(yù)測誤差一般在2%以內(nèi)。
[Abstract]:In the process of digital simulation, output power prediction, operation scheduling and optimal design of photovoltaic power generation system, accurate modeling of the electrical characteristics of solar cells and arrays is needed. Based on the single-diode equivalent circuit model of silicon solar cells and particle swarm optimization (PSO), an optimization method for calculating the five parameters of the model (Iph,Isat,Rs,Rsh,A) is proposed, and the effects of radiation intensity and temperature on the parameters of the model are analyzed. Using only four electrical parameters (Voc,Isc,Vm,Im) provided by solar cell manufacturers under standard test conditions, the I-V characteristic curves under general operating conditions can be calculated. The simulation model is established in Matlab. The simulation and experimental results show that the prediction error of the new model for I-V curve is generally less than 2%.
【作者單位】: 合肥工業(yè)大學(xué)教育部光伏系統(tǒng)工程研究中心;安慶師范學(xué)院物理與電氣工程學(xué)院;
【基金】:國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展(973)計劃(2009CB219705) 國家自然科學(xué)基金(51207040;51307042)
【分類號】:TM914.4

【參考文獻(xiàn)】

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1 蘇建徽,余世杰,趙為,吳敏達(dá),沈玉梁,何慧若;硅太陽電池工程用數(shù)學(xué)模型[J];太陽能學(xué)報;2001年04期

2 廖志凌;阮新波;;任意光強和溫度下的硅太陽電池非線性工程簡化數(shù)學(xué)模型[J];太陽能學(xué)報;2009年04期

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4 高金輝;蘇軍英;李迎迎;;太陽電池模型參數(shù)求解算法的研究[J];太陽能學(xué)報;2012年09期

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【共引文獻(xiàn)】

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4 楊文燮;胡仁杰;盧志偉;;光伏模擬器的設(shè)計及仿真驗證[J];半導(dǎo)體光電;2012年03期

5 呂,

本文編號:2251071


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