【摘要】：濺射后硒化制備Cu(In,Ga)Se2吸收層工藝過程中,Ga元素在吸收層底部富集現(xiàn)象是較為普遍的.本文從預(yù)制層工藝和硒化工藝兩個方面研究了Ga元素在Cu(In,Ga)Se2吸收層中擴散的影響因素.結(jié)果表明,預(yù)制層中的Cu/(In+Ga)和硒化溫度對Ga元素擴散的影響較為顯著,而預(yù)制層中的Ga/(In+Ga)對Ga元素擴散的影響較小,Ga元素的擴散系數(shù)制約了其在Cu(In,Ga)Se2吸收層表面的含量.通過工藝優(yōu)化提高吸收層表面的Ga含量,制備獲得了光電轉(zhuǎn)換效率為12.42%的Cu(In,Ga)Se2薄膜太陽能電池.
[Abstract]:During the preparation of Cu (In,Ga) Se2 absorption layer by sputtering, the enrichment of Ga elements at the bottom of the layer is quite common. The factors affecting the diffusion of Ga elements in Cu (In,Ga) Se2 absorption layer were studied from the aspects of prefabricated layer and selenization process. The results show that the influence of Cu/ (In Ga) and selenation temperature on the diffusion of Ga elements in the prefabricated layer is significant, while the influence of Ga/ (In Ga) in the prefabricated layer on the diffusion of Ga elements is small. The diffusion coefficient of Ga element restricts the content of Ga/ (In Ga) on the surface of the Cu (In,Ga) Se2 absorption layer. Cu (In,Ga) Se2 thin film solar cells with an optoelectronic conversion efficiency of 12.42% were prepared by optimizing the Ga content on the surface of the absorption layer.
【作者單位】： 北京大學(xué)工學(xué)院;普尼太陽能(杭州)有限公司;
【基金】：國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(批準號:2012AA050702,2013AA050904) 國家重大科學(xué)研究計劃(批準號:2011CB933300,2013CB934004) 國家自然科學(xué)基金(批準號:21371016) 國家科技支撐計劃(批準號:2011BAK16B01)資助的課題~~
【分類號】：TM914.4

【參考文獻】

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本文編號：2212449