【摘要】：考慮到在印刷過程中存在柵線展寬效應(yīng),通過理論與實(shí)驗(yàn)分析一次印刷和二次疊印過程中柵線展寬對(duì)柵極線寬和線高的限制和導(dǎo)致電池片的電極電阻和填充因子的變化,建立柵極電阻和填充因子理論模型。研究表明,絲網(wǎng)二次疊印電池片的填充因子比絲網(wǎng)一次印刷的填充因子小1%,但其短路電流密度比一次印刷高0.33 mA/cm2,開路電壓比一次印刷高1.1 mV,最終晶體硅太陽電池片的轉(zhuǎn)換效率比一次印刷提高0.391%。提出采用設(shè)計(jì)印刷線寬消除因疊印柵線展寬而產(chǎn)生的填充因子減小,以獲得更高的硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率,并建立實(shí)際印刷線寬半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ汀?br/>[Abstract]:Considering the effect of grid line broadening in the process of printing, the limitation of grid line width and line height and the change of electrode resistance and filling factor of battery chip are analyzed by theoretical and experimental analysis. The theoretical model of gate resistance and filling factor is established. Research shows that The filling factor of screen reprinted battery chip is 1 less than that of screen printing, but its short-circuit current density is 0.33 Ma / cm ~ 2 higher than that of single print, and the open circuit voltage is 1.1 MV higher than that of single print. Finally, the conversion effect of silicon solar cell chip is obtained. The rate is 0.391g higher than one printing. In order to obtain higher conversion efficiency of silicon solar cells, a semi-empirical model of printing linewidth is established by using design printing linewidth to eliminate the decrease of filling factor caused by overprint gate line broadening.
【作者單位】： 江南大學(xué)物聯(lián)網(wǎng)工程學(xué)院;江南大學(xué)理學(xué)院;
【分類號(hào)】：TM914.4

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本文編號(hào)：2175348