稀土摻雜鈦酸鉍鐵電薄膜的光電性能研究
[Abstract]:In this paper, (Bi-EU) 4Ti3O12 (BEuT) ferroelectric thin films were prepared on ITO conductive glass substrates and quartz glass substrates by chemical solution deposition (chemical solution deposition, CSD) method. The structure of BEuT ferroelectric thin films was investigated by substrate type, annealing temperature, doping amount, etc. Effects of ferroelectric and photoluminescence properties. In order to further improve the properties of ZnO/BEuT ferroelectric thin films, the properties of ZnO/BEuT ferroelectric thin films based on different forms of BEuT were investigated by using the composite thin film preparation technology, in order to enhance the luminescence properties of the materials and clarify their mechanism. The main contents are as follows: (1) Bi3.45Eu0.55Ti3O12 ferroelectric thin films with different annealing temperatures were prepared on ITO conductive glass substrates. The results showed that all of the Bi3.45Eu0.55Ti3O12 thin films were of bismuth layered perovskite structure, and no other heterophases were found. With the increase of annealing temperature, the average grain size of the films increases. The optical transmittance curves show that the BEuT thin films have high optical transmittance in the visible region and strong absorption in the ultraviolet band below 350 nm. The measurements of ferroelectric properties show that all BEuT films have good ferroelectric properties. BEuT photoluminescence spectra show that the EU 3 ion will emit light from 5D0 7F1 (594nm) and 5D0 7F2 (617 nm). Moreover, the wavelength of 350nm is used to excite Eu3 more effectively, which is because the emission spectrum of Bi3 ions covers most of the excitation spectra of Eu3. The BEuT ferroelectric thin films prepared on quartz glass substrates have similar temperature-dependent properties. However, the BEuT thin films prepared on quartz glass substrates have higher optical transmittance and better luminescence properties. (2) the effect of Eu3 doping on the photoluminescence and optical transmittance of Bi4-xEuxTi3O12 ferroelectric thin films is studied. The results show that the effect of Eu3 doping on the luminescence intensity of BEuT thin films is obvious. The luminescence of. BEuT thin films is affected by the concentration quenching effect. The concentration quenching values of the two substrates are both 0.40. The concentration quenching value of this Eu3 is relatively large. Therefore, BEuT thin films can be used as candidate materials for high brightness luminescent films. However, different doped BEuT films have little effect on optical transmittance. (3) the luminescence properties of ZnO/BEuT composite films with different forms are studied. The composite forms include the layered composite films of ZnO and BEuT films grown alternately, the nano-composite films which disperse nano-ZnO powder uniformly in the BEuT films, and the ZnO-BEuT solid solubily-like composite thin film materials. The results show that the photoluminescence properties of BEuT thin films can be significantly improved by using composite films. However, the effect of layered composite is slightly worse than that of other methods. This is mainly due to the fact that the energy transfer efficiency is not as high as that of other methods due to the insufficient contact between BEuT and BEuT in the laminated composite mode. Because of its high specific surface area, it is easy to transfer the absorbed incident light energy to the Eu3 ion, which eventually emits visible light.
【學(xué)位授予單位】:福州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2014
【分類號(hào)】:TM221
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,本文編號(hào):2150978
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