本文選題：電化學(xué)摻雜 + Cu_O薄膜�。� 參考：《人工晶體學(xué)報(bào)》2015年11期

【摘要】：采用三電極體系在硫酸銅-乳酸體系中電化學(xué)沉積法制備Cl∶Cu_2O薄膜,通過光電流(I-t)測試、莫特-肖特基(M-s)曲線測試、光電壓衰減測試(V-t),研究Cl離子摻雜對氧化亞銅薄膜性能產(chǎn)生的影響。結(jié)果表明當(dāng)p H值為8.5時(shí),可以獲得n型氧化亞銅。隨著CuCl_2的加入,氧化亞銅薄膜的光電流密度先上升后下降。莫特-肖特基曲線測試的載流子濃度與光電流密度的趨勢一致,當(dāng)Cu Cl2為40 mmol/L時(shí)達(dá)到最高值,光電流密度為0.11 m A/cm2(較純氧化亞銅提高了247.6%),載流子濃度為3.58×10~(19)cm~(-3)(較純氧化亞銅的載流子濃度提高了2457%)。將光電壓衰減測試結(jié)果進(jìn)行擬合后發(fā)現(xiàn)在40 mmol/L Cu Cl_2溶液中得到的薄膜,其載流子的半衰期提高到了8.92 s,說明較純氧化亞銅薄膜的光穩(wěn)定性大大提高了。
[Abstract]:The Cl _ (1) Cu _ 2O thin films were prepared by electrochemical deposition in the system of cupric sulfate and lactic acid with three-electrode system. The photocurrent (I-t) and Mott-Schottky (M-s) curves were measured. The effect of Cl doping on the properties of cuprous oxide thin films was investigated by photovoltage attenuation test (V-t). The results show that n-type cuprous oxide can be obtained when pH is 8.5. With the addition of CuCl2, the photocurrent density of cuprous oxide films first increases and then decreases. The carrier concentration measured by the Mott-Schottky curve is consistent with the trend of photocurrent density, reaching the maximum when Cu Cl 2 is 40 mmol / L, The photocurrent density is 0.11m A/cm2 (247.6% higher than that of pure cuprous oxide), and the carrier concentration is 3.58 脳 1019cm-3 (2457% higher than that of pure cuprous oxide). It is found that the carrier half-life of the thin films obtained in 40 mmol / L CuCl2 solution is increased to 8.92 s, which indicates that the photostability of the pure cuprous oxide thin films is greatly improved.
【作者單位】： 景德鎮(zhèn)陶瓷學(xué)院材料學(xué)院;
【基金】：江西省青年科學(xué)家(井岡之星)培養(yǎng)對象計(jì)劃(20112BCB23022) 江西省科技廳對外合作項(xiàng)目(20133BDH80018)
【分類號】：O614.121;TM914.4

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本文編號：2109012