本文選題：溶膠-凝膠法 + 薄膜　； 參考：《太陽能學(xué)報》2015年11期

【摘要】：采用溶膠-凝膠旋涂法制備出Ga、Al共摻雜和單摻雜Zn O基透明導(dǎo)電薄膜[Zn O∶(Ga,Al)(GAZO),Zn O∶Al(AZO)和Zn O∶Ga(GZO)],利用XRD、SEM、AFM、四探針電阻率測試儀和可見分光光度計測試技術(shù),分析薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌和光電性能等。結(jié)果表明:薄膜表面光滑,呈六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),且沿C軸擇優(yōu)取向;與單摻雜薄膜相比,Ga、Al共摻雜可促進晶體生長,細化晶粒,并在一定范圍內(nèi)提高薄膜的透光率。與純Zn O薄膜相比,共摻雜和單摻雜薄膜的電阻率均明顯降低。
[Abstract]:Gan Al co-doped and single doped Zn O based transparent conductive films were prepared by sol-gel spin-coating method. The structure of the films was analyzed by means of XRDX SEMMAMAFM, four-probe resistivity tester and visible spectrophotometer. Surface morphology and photoelectric properties. The results show that the thin films have smooth surface, hexagonal wurtzite structure and preferential orientation along the C-axis, and the co-doping of Gaa-Al can promote the crystal growth, refine the grains and increase the transmittance of the films within a certain range. Compared with pure Zno films, the resistivity of co-doped and single-doped films is obviously decreased.
【作者單位】： 山東建筑大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;教育部省部共建可再生能源建筑利用技術(shù)重點實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51275279) 山東省科技發(fā)展計劃(2010G0020318) 山東省自然科學(xué)基金(ZR2010EM062) 山東省教育廳科技計劃(J12LA12) 濟南市高校自主創(chuàng)新計劃(201401233)
【分類號】：TM914.4

【參考文獻】

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【共引文獻】

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【二級參考文獻】

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本文編號：2022970