發(fā)布時(shí)間：2018-05-10 14:14

  本文選題：鐵電薄膜 + 微納薄膜陣列��； 參考：《紅外與毫米波學(xué)報(bào)》2014年02期

【摘要】：采用溶膠-凝膠和旋涂抽濾方法,在硅微通道(Si-MCP)襯底的內(nèi)壁上涂敷前驅(qū)物,然后分別在600℃,650℃,700℃和750℃條件下制備Bi3.15Nd0.85Ti3O12/Si-MCP微納薄膜陣列,并對(duì)其結(jié)構(gòu)及鐵電特性進(jìn)行表征.研究結(jié)果顯示,退火溫度越高,Si-MCP內(nèi)被局域化的微納薄膜結(jié)晶顆粒尺寸越大,同時(shí)BNT/Si-MCP微納薄膜陣列越趨向沿c軸取向,尤其在750℃下制備的薄膜具有表面形貌均勻和c軸取向程度高等優(yōu)點(diǎn),且剩余極化強(qiáng)度可達(dá)93.8μC/cm2.
[Abstract]:The precursor was coated on the inner wall of silicon microchannel Si-MCPsubstrate by sol-gel and spin-coating method, and then the Bi3.15Nd0.85Ti3O12/Si-MCP microfilm array was prepared at 600 鈩，

本文編號(hào)：1869632