本文選題：憶阻器 + 測(cè)試方法�。� 參考：《華中科技大學(xué)》2014年碩士論文

【摘要】：憶阻器是繼電阻、電感、電容之外的第四種基本元器件，它的問(wèn)世震驚了國(guó)際電子技術(shù)界。憶阻器是具有記憶功能的新型非線性電阻，其阻值能隨電荷流經(jīng)的方向和數(shù)量發(fā)生相應(yīng)變化，從而記憶住每時(shí)每刻流經(jīng)的電荷量。當(dāng)不再有電荷流經(jīng)時(shí)，阻值能保持不變。因此，憶阻器作為具有非線性動(dòng)態(tài)阻變特性、高速、低功耗、高集成度、存儲(chǔ)與計(jì)算融合功能的新型電子器件，，研究其測(cè)試表征方法以及在觸發(fā)器電路方面的應(yīng)用對(duì)豐富現(xiàn)有電路、信息存儲(chǔ)與邏輯計(jì)算及其融合、類(lèi)腦功能器件等領(lǐng)域具有重大的意義。 本文首先從憶阻器直流特性、交流特性與脈沖特性出發(fā)，重點(diǎn)研究了憶阻器性能表征手段和器件測(cè)試方法，并搭建了憶阻器電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，包括常規(guī)測(cè)試系統(tǒng)和高速測(cè)試系統(tǒng)。設(shè)計(jì)高速接口電路板，搭建憶阻器高速測(cè)試裝置并設(shè)計(jì)其控制程序，解決憶阻器高速測(cè)試中的信號(hào)完整性問(wèn)題，保證高速皮秒信號(hào)的可靠傳輸與施加。同時(shí)，按照本研究的測(cè)試方法和通過(guò)所搭建的測(cè)試系統(tǒng)對(duì)基于硫系化合物憶阻器件的性能進(jìn)行了測(cè)試分析。測(cè)試結(jié)果驗(yàn)證了上述憶阻器測(cè)試方法的可行性和所搭建測(cè)試系統(tǒng)的可靠性，并實(shí)現(xiàn)了基于AgInSbTe憶阻器的快速阻變。 本文還對(duì)基于邊界遷移理論的憶阻器單元進(jìn)行SPICE建模，并仿真、分析其憶阻特性。設(shè)計(jì)了基于憶阻器的具有非揮發(fā)特性的D鎖存器和觸發(fā)器電路，并通過(guò)電路仿真進(jìn)行功能驗(yàn)證。 以上研究對(duì)于憶阻器在信息存儲(chǔ)與邏輯計(jì)算領(lǐng)域的發(fā)展具有一定的促進(jìn)作用。
[Abstract]:Memory resistor is a new type of electronic device with memory function , its resistance value can change with the direction and quantity of charge flow , so as to memory the quantity of charge flowing through every moment . Therefore , memristors are used as new electronic devices with nonlinear dynamic impedance - resistance characteristic , high - speed , low - power consumption , high integration , storage and calculation fusion function .

Based on the direct current characteristics , AC characteristics and pulse characteristics of memristors , the performance characterization methods and device testing methods of memstors are studied , and the electrical characteristics testing system of memristors is built , including the conventional test system and the high - speed test system . The test method of this study and the test system are designed to analyze the signal integrity of the memristors . The test results verify the feasibility of the test method and the reliability of the test system .

In this paper , a memter unit based on boundary migration theory is modeled and simulated to analyze its memory memristics . A D - latch and flip - flop circuit with non - volatile characteristics based on memristors are designed , and functional verification is carried out by circuit simulation .

The above research has certain promotion effect on the development of memristors in the field of information storage and logic calculation .

【學(xué)位授予單位】：華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類(lèi)號(hào)】：TM13

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本文編號(hào)：1860201