本文選題：非晶硅鍺 + 光學(xué)帶隙　； 參考：《人工晶體學(xué)報(bào)》2014年04期

【摘要】：采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)在1.1 m×1.3 m的大面積玻璃襯底上制備非晶硅鍺(aSiGe)薄膜和太陽能電池。系統(tǒng)研究了鍺烷流量比(RGe)、氫氣流量比(RH)、沉積功率和壓強(qiáng)對(duì)a-SiGe薄膜光學(xué)帶隙以及沉積速率的影響;分析了具有不同RGe的本征層對(duì)a-SiGe單結(jié)電池的影響;通過調(diào)節(jié)沉積參數(shù)制備出具有合適本征層帶隙的高質(zhì)量a-SiGe單結(jié)電池,實(shí)現(xiàn)在800 nm波長處的量子效率達(dá)到18.9%,同時(shí)填充因子(FF)也達(dá)到0.62。
[Abstract]:Amorphous silicon germanium germanium thin films and solar cells were prepared on a 1.1m 脳 1.3 m glass substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique. The effects of the flow ratio of germanium and alkane on the optical band gap and the deposition rate of a-SiGe thin films were systematically studied, and the effects of different intrinsic layers with different RGe on the a-SiGe single junction cells were studied systematically, and the effects of deposition power and pressure on the optical band gap and deposition rate of a-SiGe thin films were also studied. A high quality a-SiGe single junction cell with proper intrinsic band gap was prepared by adjusting deposition parameters. The quantum efficiency at 800 nm and the filling factor were 18. 9 and 0. 62 respectively.
【作者單位】： 浙江正泰太陽能科技有限公司;浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家國際合作項(xiàng)目(2010DFB63080) 國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)(2012AA052401)
【分類號(hào)】：TB383.2;TM914.4

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1818512