本文選題：原子與分子光學(xué) + 可控制靜電雙阱��； 參考：《量子電子學(xué)報》2014年06期

【摘要】：給出了可控制靜電雙阱方案的靜電場分布與幾何參數(shù)的關(guān)系及囚禁中心位置與系統(tǒng)參數(shù)的依賴關(guān)系并作相關(guān)分析。研究表明,可通過改變方案的系統(tǒng)參數(shù)改變囚禁中心的位置、囚禁勢阱的深度及勢阱的體積,從而實(shí)現(xiàn)囚禁經(jīng)過Stark減速器得到的冷分子,甚至通過選擇合適的系統(tǒng)參數(shù)實(shí)現(xiàn)溫度更高的冷分子囚禁。
[Abstract]:The relationship between the distribution of electrostatic field and geometric parameters and the dependence between the position of trapping center and the parameters of the system are given and the correlation analysis is made. The results show that the location of the trapping center, the depth of the trap well and the volume of the trap can be changed by changing the system parameters of the scheme, so that the cold molecules obtained through the Stark reducer can be trapped. Even by choosing the appropriate system parameters to achieve the higher temperature of cold molecular trapping.
【作者單位】： 巢湖學(xué)院電子工程與電氣自動化學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11472063) 安徽省高校省級自然科學(xué)重點(diǎn)研究項(xiàng)目(KJ2012Z271) 安徽省高校省級自然科學(xué)研究項(xiàng)目(KJ2013Z227)
【分類號】：O441.4

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本文編號：1795451