本文選題：鍵合 + 多結(jié)太陽(yáng)電池��； 參考：《物理學(xué)報(bào)》2014年17期

【摘要】：本文研制了直接鍵合的三結(jié)GaInP/GaAs/InGaAsP太陽(yáng)電池.直接鍵合技術(shù)可以減少晶格不匹配的材料在外延生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的線位錯(cuò)和面缺陷,將缺陷限制在界面幾十納米的薄層而不向內(nèi)擴(kuò)散,是未來(lái)實(shí)現(xiàn)高效多結(jié)電池的發(fā)展趨勢(shì)之一.此類電池國(guó)內(nèi)鮮有報(bào)道.本文鍵合三結(jié)電池的鍵合界面采用p+GaAs/n+InP結(jié)構(gòu),得到電池開(kāi)路電壓3.0 V,在電池結(jié)構(gòu)沒(méi)有優(yōu)化的情況下獲得效率24%,表面未做減反膜.開(kāi)路電壓表明三結(jié)電池實(shí)現(xiàn)了串聯(lián),為單片集成的高效多結(jié)電池提供了新的途徑.對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了分析并給出了改進(jìn)措施.
[Abstract]:A three junction GaInP/GaAs/InGaAsP solar cell with direct bonding has been developed in this paper.The direct bonding technique can reduce the linear dislocations and surface defects in the epitaxial growth of materials with lattice mismatch, and limit the defects to tens of nanometers at the interface without diffusing them inward.It is one of the development trends of realizing high efficiency multi-junction battery in the future.Such batteries are rarely reported in China.In this paper, the bonding interface of the three junction battery is p GaAs/n InP structure, the open circuit voltage of the battery is 3. 0 V, and the efficiency is 24% when the structure of the battery is not optimized, and no antireflection film is made on the surface.The open circuit voltmeter three junction battery is connected in series, which provides a new way for the single chip integrated high efficiency multi junction battery.The experimental results are analyzed and the improvement measures are given.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)航天科技集團(tuán)公司上海空間電源研究所;
【基金】：中國(guó)科學(xué)院知識(shí)創(chuàng)新工程重要方向項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):09JA041001)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TM914.4

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本文編號(hào)：1746997