本文選題：太陽電池　切入點：PECVD　出處：《太陽能學(xué)報》2014年10期

【摘要】：利用管式PECVD在晶硅太陽電池上制備3種不同結(jié)構(gòu)的Si Nx∶H減反射膜:第一子層(靠近基底硅)折射率大于第二子層的雙層減反射膜、第一子層折射率小于第二子層的雙層減反射膜、單層減反射膜。通過光學(xué)和電學(xué)性能的比較可看出,第一種類型太陽電池的短路電流、開路電壓和電池效率的分布區(qū)間均相對集中,其短路電流和開路電壓均高于其他樣品。該結(jié)果主要歸結(jié)于該類型雙層Si Nx∶H減反射膜不但光學(xué)匹配性好,而且對太陽電池的表面及體鈍化效果最優(yōu)。
[Abstract]:Three kinds of Si Nx:H antireflection films with different structures were prepared by tubular PECVD on silicon solar cells. The refractive index of the first sublayer (near the substrate silicon) was larger than that of the second layer. The refractive index of the first sublayer is less than that of the second sublayer, the double layer antireflection film and the single layer antireflection film. Through the comparison of optical and electrical properties, we can see that the short-circuit current of the first type of solar cell, The distribution range of open circuit voltage and cell efficiency is relatively concentrated, and its short circuit current and open circuit voltage are higher than other samples. The results are mainly attributed to the good optical matching of this type of double layer Si Nx:H antireflection film. And the surface and body passivation effect of solar cell is optimal.
【作者單位】： 山東力諾太陽能電力股份有限公司;燕山大學(xué)理學(xué)院;
【基金】：國家高技術(shù)研究發(fā)展(863)計劃(2012AA050303;2011AA050504) 山東省自主創(chuàng)新成果項目(2010ZHZX1A0702;2011ZHZX1A0701)
【分類號】：TM914.4

【共引文獻】

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6 查s，

本文編號：1685251