本文選題：電子輻射　切入點(diǎn)：沿面閃絡(luò)　出處：《高電壓技術(shù)》2014年01期

【摘要】：為了提高聚酰亞胺材料(PI)在復(fù)雜工程環(huán)境下的可靠性,實(shí)驗(yàn)研究了真空電子輻射下PI的直流沿面閃絡(luò)特性,并采用熱刺激電流(TSC)法測(cè)試輻射前后試樣的陷阱參數(shù)。結(jié)果表明,當(dāng)輻射電子能量在0.5～20 keV范圍內(nèi)時(shí),試樣表面的閃絡(luò)電壓高于無(wú)輻射情況下的閃絡(luò)電壓;電子能量越高,介質(zhì)表面正電荷密度和相對(duì)介電常數(shù)越小,陷阱深度增大,表面電場(chǎng)均衡性有所提高,因此閃絡(luò)電壓越高;在輻射電子能量不變情況下,束流密度越大,初始電子數(shù)越多,泄漏電流越大,則閃絡(luò)電壓越低。
[Abstract]:In order to improve the reliability of polyimide (Pi) material under complex engineering environment, the DC flashover characteristics of Pi under vacuum electron radiation were studied experimentally, and the trap parameters of samples before and after radiation were measured by thermal stimulated current (TSCC) method. When the radiation electron energy is in the range of 0.5 ~ 20 keV, the flashover voltage on the surface of the sample is higher than that without radiation, and the higher the electron energy is, the smaller the positive charge density and the relative dielectric constant of the dielectric surface are, and the depth of the trap increases. The higher the surface electric field equalization is, the higher the flashover voltage is, and the lower the flashover voltage is, the higher the beam density is, the more the initial electron number is, and the larger the leakage current is.
【作者單位】： 西安交通大學(xué)電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;上海市空間飛行器機(jī)構(gòu)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TM21

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：1674351