發(fā)布時(shí)間：2018-03-21 21:09

  本文選題：憶阻器　切入點(diǎn)：橫截面積　出處：《物理學(xué)報(bào)》2014年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：納米鈦氧化物憶阻器的導(dǎo)電過程因自身參數(shù)的改變及不同機(jī)理的共存而呈現(xiàn)復(fù)雜特性,但現(xiàn)有研究缺乏針對(duì)橫截面積參數(shù)的改變對(duì)憶阻器導(dǎo)電特性影響的討論.基于雜質(zhì)漂移及隧道勢(shì)壘機(jī)理,本文分析了憶阻器導(dǎo)電過程,研究了橫截面積參數(shù)與導(dǎo)電過程中各關(guān)鍵物理要素間的關(guān)聯(lián),并基于此,分別研究了鈦氧化物橫截面積及隧道勢(shì)壘橫截面積的改變對(duì)憶阻器導(dǎo)電特性的影響,分析了兩者的區(qū)別與聯(lián)系.驗(yàn)證了兩種機(jī)理共存情況下,相對(duì)于鈦氧化物橫截面積的改變,隧道勢(shì)壘橫截面積的改變是引發(fā)憶阻器導(dǎo)電特性變化的主要因素,且是導(dǎo)致憶阻器非理想導(dǎo)電特性的可能因素.研究成果有助于進(jìn)一步解釋憶阻器導(dǎo)電過程的復(fù)雜性,并為優(yōu)化憶阻器模型的構(gòu)建提供依據(jù).
[Abstract]:The conductive process of nanocrystalline titanium oxide amnesia presents complex characteristics due to the change of its own parameters and the coexistence of different mechanisms. However, there is a lack of discussion on the influence of the change of cross-sectional area parameters on the electrical conductivity of the resistor. Based on the impurity drift and the tunneling barrier mechanism, this paper analyzes the conductive process of the memristor. The correlation between the cross-sectional area parameters and the key physical elements in the conducting process is studied. Based on this, the effects of the change of the cross-sectional area of titanium oxide and the cross-sectional area of the tunnel barrier on the conductive characteristics of the amnesia are studied respectively. The difference and relation between the two are analyzed. It is verified that the change of tunnel barrier cross section is the main factor that induces the change of electrical properties of amnesia compared with the change of titanium oxide cross-sectional area under the condition of coexistence of two mechanisms. The research results are helpful to further explain the complexity of the electrical conduction process of the resistor and provide the basis for optimizing the model construction of the resistor.
【作者單位】： 國(guó)防科學(xué)與技術(shù)大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61171017,F010505)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TM54

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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4 許U，

本文編號(hào)：1645552